SK Hynix julkaisi peräti 238-kerroksiset 4D NAND Flash-muistit
SK Hynix kutsuu omia muistejaan 4D NANDeiksi erottuakseen Charge Trap Flash- ja Periphery Under Cell -teknologiaa käyttämättömistä 3D NANDeista.
Micron julkaisi maailman ensimmäiset 232-kerroksiset NAND-muistit
Uudet ennätystiheät TLC-muistit tarjoavat jopa 75 % parempaa luku- ja 100 % parempaa kirjoitusnopeutta yhtiön viime sukupolven 176-kerroksisiin NAND-piireihin verrattuna.
Micron julkaisi ensimmäiset PCI Express 4.0 -väylää tukevat SSD-asemansa
Sekä Micron 2450 että 3400 luottavat yhtiön omiin 176-kerroksisiin TLC NAND -siruihin, mutta vain 3400:ssa on käytössä sen oma ohjainpiiri.
Samsungin 980 SSD-asema ottaa takapakkia ominaisuuksissa
980 SSD-asemat heittävät hyvästit DRAM-välimuistille ja ovat jopa hitaampia, kuin edeltävät 970 Evo Plus -SSD-asemat.
SK Hynix julkaisi peräti 176-kerroksiset 4D NAND Flash -muistit
SK Hynixin TLC-soluihin perustuvat 4D NAND -muistit tulevat aluksi saataville 512 gigabitin kapasiteetissa, mutta kehitteillä on myös terabitin sirut.