Samsungin uudet asemat perustuvat uusimman sukupolven V-NAND-siruihin TLC-soluilla ja ne tulevat saataville parhaimmillaan 4 Tt:n kapasiteetilla.

Vaikka SSD-asemissa suurin huomio kiinnittyy nykypäivänä M.2-liitäntäisiin asemiin, on myös SATA-väyläisillä asemilla edelleen oma paikkansa useimmissa kokoonpanoissa. Samsung on nyt laajentanut SATA-väyläisten asemiensa tarjontaa uusilla 870 EVO -sarjan SSD-asemilla.

Samsung 870 EVO -SSD-asemat perustuvat yhtiön uusimman sukupolven V-NAND-siruihin, joissa käytetään TLC-tyyppisiä soluja, sekä yhtiön omaan MKX-ohjainpiiriin. Samsung ei ole kertonut virallisesti monestako kerroksesta V-NAND-sirut tarkalleen muodostuvat, mutta todennäköisimmin kyse on 128-kerroksisesta sirusta. Samat sirut ovat käytössä myös yhtiön lippulaivatason 980 Pro -M.2-asemissa.

Samsungin uudet asemat tulevat saatavilla pienimmillään 250 gigatavuisina ja parhaimmillaan peräti 4 teratavun kapasiteetilla ja niissä on välimuistina aseman koosta riippuen 512 Mt – 4 Gt LPDDR4-muistia. Asemien perättäisluku- ja kirjoitusnopeudet ovat koosta riippumatta 560 ja 530 Mt/s ja satunnaisluku- ja kirjoitusnopeudet 98 000 ja 88 000 IOPSia. Asemien kirjoituskestävyydeksi kerrotaan 0,3 DWPD (Drive Writes per Day), mikä tarkoittaa aseman kapasiteetista riippuen 150 – 2400 teratavun kirjoituskestävyyttä. Asemille myönnetään lisäksi 5 vuoden takuu kirjoituskestävyyden rajoissa.

Samsung 870 EVO:n 250 Gt:n mallin suositushinta on 44,99 euroa, 500 Gt:n mallin 76,99 euroa, 1 Tt:n 161,99 euroa, 2 Tt:n 311,99 euroa ja 4 Tt:n 632,99 euroa.

Lähde: Samsungin lehdistötiedote (sähköposti)

This site uses XenWord.