Tulevan Moto Z2 Play -mallin pressirenderöinti vuosi nettiin

24.4.2017 - 16:17 / Juha Kokkonen Mobiili Kommentit (5)

Lenovon tulevat Moto Z2 -puhelimet pääsivät viime viikolla kahden luotettavalta vaikuttavan kuvavuodon kohteeksi. Ensimmäisessä esiintyi Force- ja toisessa Play-versio.

Ensin vuosivat Moto Z2 Forcen kuvat ja nyt TechnoBuffalo-sivusto on julkaissut viralliselta pressirenderöinniltä vaikuttavan kuvan Moto Z2 Play -mallista. Sivuston mukaan kuva on peräisin luotettavalta lähteeltä. Viime vuoden tapaan Play-version odotetaan olevan Moto Z2 -malliston edullisin mallivaihtoehto ja sen odotetaan keskittyvän hyvään akunkestoon (edeltäjässä virtapihi Snapdragon 625 -piiri ja 3510 mAh akku). Kuvassa laite näyttää hieman edeltäjäänsä pienemmältä, joten täytyy vain toivoa, ettei laitteen akkua ole jouduttu pienentämään.

Evan Blass julkaisi jo muutama viikko sitten Twitterissä kuvan, joka paljastaa Motorolan tämän vuoden lippulaivauutuuksien mallinimiksi Moto Z2:n. Tarkalleen ottaen Blassin julkaisemassa logossa numero näyttäisi olevan merkattu eksponentiksi. Viikko sitten Android Authority julkaisi yhdessä OnLeaksin kanssa renderöidyn videon ja sarjan kuvia, jossa kerrottiin esiintyvän Moto Z2 Force -mallin. Moto Z2 Forcessa on kuvien perusteella kaksoiskamera ja huhujen mukaan 5,5-tuumainen näyttö sekä Snapdragon 835 -järjestelmäpiiri.

Tähän mennessä vuotaneiden kuvien perusteella tulevien Moto Z2 -mallien muotoilu on pääosin tuttua viime vuoden malleista, jolle löytyy myös ilmiselvä syy. Lenovo on nimittäin sitoutunut käyttämään puhelimissaan Moto Mods -lisälaitekonseptia ainakin parin seuraavan vuoden ajan, joka määrittelee rajoitteet laitteiden ulkomitoille sekä takakuoren muotoilulle. Vuotaneiden kuvien perusteella pieninä kosmeettisina muutoksina Moto Z2 -malleissa näyttäisi olevan sulavammin muotoiltu sormenjälkitunnistin sekä takakuoren reunoja kiertävä ”antennikaistale”.

Uusien Moto Z2 -mallien julkaisuaikataulusta ei ole vielä varmaa tietoa, mutta ainakin viime vuonna Lenovo julkisti Moto Z -mallit kesän loppupuoliskolla. Moto Z2 Playn kuvassa näytöllä on päivämäärä 8. kesäkuuta, joka saattaa vihjata julkaisupäivään. Moto Z2 Force ei tiettävästi tule tänä vuonna myyntiin pelkästään yhdysvaltalaisoperaattorien yksinoikeudella.

Lähteet: Technobuffalo, Evleaks, Android Authority

Enermaxilta huipputehokas 120 mm D.F. Storm -kotelotuuletin

24.4.2017 - 15:04 / Juha Kokkonen Tietotekniikka Kommentit (9)

Enermaxin uusi D.F. Storm -kotelotuuletin siirtää poikkeuksellisen suuren määrän ilmaa 25 mm paksuksi 120 mm:n tuulettimeksi.

Enermax on esitellyt tuuletinvalikoimansa huipulle uuden erittäin korkealla kierrosnopeudella toimivan D.F. Storm -mallin, joka on teknisten tietojen perusteella yksi markkinoiden suorituskykyisimmistä 120 mm tuulettimista kokoluokassaan. Kyseinen tehotuuletin ei sovi hiljaisten kokoonpanojen ystäville, vaan se on suunnattu ensisijaisesti servereiden, teollisuussovellusten ja tehokokoonpanojen jäähdytykseen.

Uutuusmallin maksimipyörimisnopeudeksi ilmoitetaan 3500 kierrosta minuutissa, jolloin se kykenee tuottamaan 155 CFM:n ilmavirran sekä jopa 11,13 mm:n H2O staattisen paineen. Lukemat ovat erittäin korkeita 25 mm paksulle 120 mm:n tuulettimelle, sillä tyypillisesti kyseisen kokoluokan tuulettimet tuottavat (alhaisemmilla kierrosnopeuksilla) noin 40-80 CFM:n ilmavirran sekä 0,5-4 mm H2O paineen. Esimerkiksi Deltan mallistosta löytyy kyllä jopa yli 200 CFM:n ilmavirran tuottavia malleja, mutta ne ovat selvästi paksumpaa 38 mm:n kokoa.

D.F. Storm -tuulettimessa käytetään Enermaxin Adjustable Peak Speed -ohjauskytkintä, josta käyttäjä voi valita tuulettimen PWM-ohjauksen kierrosalueen kolmesta vaihtoehdosta (1500-2200, 1500-2800 tai 1500-3500 RPM). Tuulettimen roottorin juuresta löytyy merkkivalot, joista käyttäjä näkee mikä nopeusasetus on käytössä. Valmistaja suosittelee tuulettimen virran ottamista suoraan virtalähteestä, kun pyörimisnopeusväliksi on valittu 1500-3500 RPM. D.F. Stormin melutasoksi kerrotaan 23 – 38 dBA.

Enermax ilmoittaa D.F. Stormin toimintaiäksi jopa 160 000 tuntia (25 asteen lämpötilassa), joka on saatu aikaan ”teollisuustason” komponenteilla sekä Twister Bearing -laakeroinnilla, joka hyödyntää taipuisia magneetteja akselin tasapainottamiseen. Tuuletin hyödyntää lisäksi DFR-tekniikkaa, joka vähentää pölyn kertymistä pyörittämällä käynnistyksen yhteydessä lapoja 10 sekunnin ajan vastakkaiseen suuntaan.

Uutuudesta kiinnostuneilta vaaditaan malttia, sillä Energmax D.F. Storm tulee kauppoihin vasta tämän vuoden joulukuussa. Hinnoittelusta ei ole vielä tarkempaa tietoa.

Lähde: Enermax

SK Hynix esitteli ensimmäiset 16 Gbps:n GDDR6-muistit

24.4.2017 - 14:02 / Petrus Laine Tietotekniikka Kommentit (28)

GDDR6-muistien odotetaan syrjäyttävän GDDR5- ja GDDR5X-muistit näytönohjaimista nopealla aikataululla. Ensimmäiset GDDR6-näytönohjaimet saapuvat markkinoille alkuvuodesta 2018.

Näytönohjaimissa käytetään nykyään lähes poikkeuksetta GDDR5-muisteja. Muita vaihtoehtoja nykypäivänä ovat astetta nopeammat, Micronin kehittämät GDDR5X-muistit sekä hitaammat mutta erittäin leveän muistiväylän vuoksi enemmän muistikaistaa tarjoavat AMD:n ja SK Hynixin kehittämät HBM-muistit.

SK Hynix on nyt esitellyt ensimmäiset seuraavan sukupolven GDDR6-muistit. Muististandardia työstää tuttuun tapaan JEDEC, joka on vastuussa muidenkin muistiteknologioiden standardoinnista. Toistaiseksi ei ole tiedossa mikä valmistaja on toiminut GDDR6-muistiteknologian pääkehittäjänä, vai onko kyse ollut alusta asti usean yrityksen yhteistyöstä. Muistien odotetaan saapuvan näytönohjaimiin vuoden 2018 alkupuolella ja SK Hynix kertoo ajoittaneensa muistipiiriensä massatuotannon nimettömänä pysyvän näytönohjainvalmistajan aikatauluun sopivaksi.

SK Hynixin esittelemät GDDR6-muistit ovat kapasiteetiltaan 8 gigabittisiä ja ne tulevat toimimaan 16 Gbps:n nopeudella, jolloin esimerkiksi 384-bittisellä muistiväylällä muistikaistaa olisi 768 gigatavua sekunnissa. Muistikaistaa tulee tarjolle siis noin kaksinkertaisesti GDDR5-muisteihin nähden. Olettaen ettei mikään mene GDDR6-standardin viilauksen loppumetreillä vikaan, tulee muistien käyttöjännite olemaan 10 % pienempi kuin GDDR5-muisteilla. SK Hynix tulee valmistamaan nyt esitellyt muistinsa 2Znm-prosessilla (20 / 21 nm).

Muista muistivalmistajista ainakin Micron ja Samsung ovat kertoneet tulevansa valmistamaan myös GDDR6-muisteja. Muistien odotetaan syrjäyttävän nykyiset GDDR5/X-muistit suorituskykyisissä näytönohjaimissa nopeasti kiitos merkittävästi kasvaneen nopeuden ja pienentyvän käyttöjännitteen.

Uusi artikkeli: Testissä HTC U Ultra

23.4.2017 - 19:31 / Juha Kokkonen Mobiili Kommentit (19)

io-techin testattavana HTC:n tammikuussa julkaisema U Ultra -huippumalli.

io-techin uudessa testiartikkelissa tutustumme taiwanilaisen HTC:n tammikuussa julkaisemaan 799 euron hintaiseen U Ultra -älypuhelimeen. Laitteesta oli alunperin tarkoitus tehdä pintapuolinen kokeiltua-juttu, mutta testikalenterissa seuraavana olleen puhelimen myöhästymisen johdosta ehdimme tutustua U Ultraan aiottua pidempään.

Noin viikon käyttökokemuksien pohjalta tutustumme artikkelissa puhelimen rakenteeseen, teknisiin ominaisuksiin, kameran kuvanlaatuun, käyttöjärjestelmään, suorituskykyyn ja akunkestoon.

Lue artikkeli: Testissä HTC U Ultra

Kokeiltua: MSI Radeon RX 580 + 480 CrossFire

23.4.2017 - 16:37 / Sampsa Kurri Tietotekniikka Kommentit (25)

Kokeilimme toimiiko AMD:n uusi Radeon RX 580 -näytönohjain edellisen sukupolven Radeon RX 480:n rinnalla CrossFire-konfiguraatiossa. Ja toimihan se.

Lukijoiden pyynnöstä testasimme Polaris-arkkitehtuurin MSI:n Radeon RX 580 Gaming X- ja Radeon RX 480 Gaming X -näytönohjaimien toimivuutta rinnakkain käytännössä.

Artikkelissa on mukaiset suorituskykytestit, ruutujen renderöintiaikojen analyysi sekä tehonkulutus-, lämpötila- ja melumittaukset.

Ajoimme mukaan tulokset myös GeForce GTX 1070-, 1080- ja 1080 Ti -näytönohjaimilla, jotta CrossFire-konfiguraation suorituskykyä olisi helpompi suhteuttaa suorituskykyisempiin yhden grafiikkapiirin näytönohjainmalleihin.

Lue artikkeli: MSI Radeon RX 580 + 480 CrossFire

Video: LG G6 unboksaus ja ensituntumat

22.4.2017 - 21:59 / Sampsa Kurri Mobiili Kommentit (18)

Io-techin testiin saapui LG:n uusi G6-puhelin. Tutustuimme 4k-laatuisella videolla laitteeseen.

Avaamme videolla LG:n lähettämän paketin, jonka sisuksista löytyi G6-älypuhelin. Otamme videolla ensituntumat LG:n uudesta Android-lippulaivapuhelimesta, tutustumme pikaisesti LG:n käyttöliittymään Android 7.0 -käyttöjärjestelmän päällä ja testaamme sormenjälkilukijaa.

LG G6:n myynti on jo alkanut Suomessa ja hintataso on reilussa 700 eurossa. Io-techin varsinainen testiartikkeli G6:sta julkaistaan toukokuussa.

Lukijapalautteen myötä olemme ottaneet videokuvauksessa käyttöön Panasonicin GH-4-kameran ja ulkosen mikrofonin. Video on kuvattu, editoitu ja upittu Youtubeen katsottavaksi 3840×2160-resoluutiolla.

Käy tilaamassa io-techin YouTube-kanava, anna kommenteissa palautetta ja kehitämme videokonseptia lisää, kiitos!

Polaris 20 -grafiikkapiiristä on kaksi eri versiota: XTR ja XTX

21.4.2017 - 21:46 / Sampsa Kurri Tietotekniikka Kommentit (12)

AMD ei ole kertonut kovinkaan selvästi, että Radeon RX 580 -näytönohjain on saatavilla kahdella eri Polaris 20 -grafiikkapiiriversiolla.

14 nanometrin viivanleveydellä valmistettava Polaris 20 -grafiikkapiiri rakentuu 5,7 miljardista transistorista ja sen pinta-ala on 232 neliömillimetriä. Radeon RX 580 -näytönohjaimessa on käytössä täysi grafiikkapiiri eli 36 CU-yksikköä ja 2306 stream-prosessoria.

Virallisesti AMD:n määrittämät referenssitaajuudet Radeon RX 580 -näytönohjaimelle ja Polaris 20 -grafiikkapiirille ovat 1257 MHz:n perustaajuus ja 1340 MHz:n Boost-taajuus.

Io-techissä testattiin MSI:n Radeon RX 580 Gaming X 8G -malli, jossa on käytössä Polaris 20 -grafiikkapiirin perus- eli XTX-versio. GPU-Z ilmoitti grafiikkapiirin kellotaajuudeksi 1380 MHz, mutta 3D-rasituksessa kellotaajuus seilasi todellisuudessa 1270-1300 MHz:n välimaastossa.

AMD ei jostain syystä kertonut medialle ennen julkaisua, että se tarjoaa näytönohjainvalmistajille todellisuudessa kahta versiota Polaris 20 -grafiikkapiiristä, joita se kutsuu sisäisesti nimillä XTR ja XTX.

Korkeammalle kellotaajuudelle speksattu Polaris 20 XTR -grafiikkapiiri toimii vakiona 1411 MHz:n kellotaajuudella ja se on käytössä muun muassa MSI:n Radeon RX 580 Gaming X+-, Asuksen ROG Strix Radeon RX 580 TOP-, Aorus Radeon RX580 XTR-, Sapphiren Nitro+ ja XFX:n GTR­-S Black Edition -näytönohjaimista:

Joissain malleissa Polaris 20 XTR -grafiikkapiiri on asetettu toimimaan jopa 1430-1450 MHz:n kellotaajuudella.

Odotamme tällä hetkellä AMD:lta taustatietoja Polaris 20:n XTR- ja XTX-versioista ja liittyykö niihin jotain muutakin kuin pelkästään esimerkiksi piisirujen binnaus eli parhaimpien yksilöiden valikoiminen XTR-piireiksi.

AMD ehti jo tarkentamaan io-techille, että kaikki Radeon RX 500 -sarjan grafiikkapiirit valmistetaan Globalfoundriesin 14 nanometrin LPP-prosessilla.

Io-techin testilabrassa on Sapphiren Radeon RX 580 Nitro+ Limited Edition -näytönohjain, jossa on käytössä Polaris 20 XTR -grafiikkapiiri. Ajamme testit ensi viikolla kyseisellä näytönohjaimella ja kokeilemme ylikellotuuko se paremmin kuin Polaris 20 XTX -grafiikkapiirillä varustettu MSI:n Radeon RX 580 Gaming X, joka kulki 1475/2250 MHz.

Windows 10:lle ja Office 365 ProPlusalle ominaisuuspäivitykset jatkossa kahdesti vuodessa

21.4.2017 - 17:28 / Petrus Laine Tietotekniikka Kommentit (9)

Ominaisuuspäivitykset pyritään julkaisemaan aina maalis- ja syyskuussa, mutta kuten Creators Updaten kohdalla nähtiin, aikataulut saattavat myös pettää hieman.

Microsoft julkaisi näillä näkymin viimeiseksi Windows-versioksi jäävän Windows 10:n 29. heinäkuuta 2015. Käyttöjärjestelmälle on sittemmin julkaistu kolme merkittävää eli ns. ominaisuuspäivitystä: November Update (1511), Anniversary Update (1607) ja Creators Update (1703).

Microsoft on kertonut Windows- ja Office-blogeissaan aikovansa jatkossa julkaista sekä Windows 10:lle että Office 365 ProPlussalle jatkossa kaksi ominaisuuspäivitystä vuosittain. Päivitykset tullaan julkaisemaan sekä Windowsille että Officelle samanaikaisesti kunkin vuoden maalis- ja syyskuussa, olettaen tietenkin, että julkaisut pysyvät aikataulussaan. Kukin sekä Windowsin että Office 365:n ominaisuuspäivityksistä pysyvät tuettuina 18 kuukautta niiden julkaisusta.

Windows 10:n seuraava päivitys tottelee toistaiseksi nimeä Redstone 3. Päivitys tulee sisältämään näillä näkymin ainakin Creators Updatesta loppumetreillä pois tiputetun My People -ominaisuuden, jolla tärkeimmät kontaktit voi liittää suoraan tehtäväpalkkiin, jonka kautta esimerkiksi tiedostojen jakaminen ja sähköpostin tai pikaviestin lähettäminen onnistuu nopeasti ilman eri ohjelmien välillä hyppelyä. Toinen mukaan luultavasti ehtivä ominaisuus on Project Neon, eli uusi muotokieli Windows-ohjelmille. Myös Windows 10:n työpöytäversion ARM-prosessoreille suunniteltu, x86-emulaatiolla varustettu versio saattaa ehtiä Redstone 3:n julkaisuun.

Muita suunniteltuja uusia ominaisuuksia Windows 10:n tuleviin päivityksiin ovat esimerkiksi modulaarinen CSHELL, joka yhdistäisi kaikkien erityyppisten Windows-laitteiden käyttöliittymät yhdeksi modulaariseksi ja tarpeen mukaan käyttöön sopeutuvaksi paketiksi, sekä Tabbed Shell, joka lisäisi tuen välilehdille esimerkiksi Resurssienhallintaan (Windows Explorer) ja muihin ohjelmiin joissa siitä voi olla hyötyä.

Intel Optane -SSD-asema (3D XPoint) ensimmäisessä puolueettomassa testissä

21.4.2017 - 14:47 / Petrus Laine Tietotekniikka Kommentit (11)

Intelin 3D XPoint -muisteihin perustuvien Optane-SSD-asemien on tarkoitus paikata perinteisten SSD-asemien ja DRAM-muistien väliin jäävää ammottavaa aukkoa. Ensimmäiset puolueettomat testit ovat tavoitteen kannalta lupaavia etenkin latenssien osalta.

Intel ja Micron esittelivät 3D XPoint -muistiteknologian alun perin jo vuoden 2015 heinäkuussa. Markkinoille teknologiaan perustuvia muisteja saatiin lopulta tänä vuonna, kun Intel julkaisi Optane SSD DC P4800X -SSD-aseman yrityskäyttöön ja Optane Memory -moduulit kuluttajamarkkinoille.

Nyt 3D XPoint -muisteista on saatu ensimmäiset riippumattomat kolmannen osapuolen ajamat testit, kun AnandTech sai käsiinsä Optane SSD DC P4800X -SSD-aseman. SSD-asema on PCI Express x4 -väyläinen ja sen kapasiteetti on 375 gigatavua. Sen veroton suositushinta on 1520 dollaria ja toistaiseksi saatavuus olematonta.

AnandTech ajoi testit etäyhteydellä Intelin palvelimella, johon oli asennettu kaksi Intel Xeon E5-2699 v4 -prosessoria, S2600WTR2-emolevy C612-piirisarjalla, 256 Gt DDR4-2133 muistia sekä Ubuntu Linux 16.10 (kerneli 4.8.0-22). Vaikka testikokoonpano oli Intelin toimittama, oli Linux-asennus täysin puhdas eikä sisältänyt mitään esiasennettuja, normaaliin asennukseen kuulumattomia Intel- tai Optane-optimointeja, -ohjelmistoja tai -ajureita. AnandTech ajoi myös lisätestejä perinteisellä SSD-asemalla Intel Xeon E3-1240 v5 -prosessorilla, ASRock Fatal1ty E3V5 -emolevyllä (C232-piirisarja), 32 Gt:llä DDR4-muistia ja identtisellä Linuxilla.

Testeissä Optane SSD DC P4800X:n verrokkeina toimi Intelin SSD DC P3700 800 Gt -SSD-asema ja eri kokoonpanolla testattu Micron 9100 Max 2,4 Tt -SSD-asema. AnandTechin testien mukaan Intelin mainostamat luvut Optane-SSD-asemalle pitävät paikkaansa, kunhan testiohjelmat ajetaan asynkronisessa tilassa.

Käytännön testeissä Optane-SSD-aseman suoritusteho on lähes aina omaa luokkaansa, mutta muutama poikkeuskin testeistä löytyy. Peräkkäislukutesteissä Intelin oma SSD DC P3700 kykenee haastamaan uuden Optane SSD:n niin kauan, kuin siirtojen koko pysyy 32 kilotavussa tai alle, jossa sen suoritustehokatto tulee käytännössä vastaan. Micronin SSD puolestaan kykenee ohittamaan Optane SSD:n suoritustehon 128 kt:n peräkkäislukutestissä, kun jonosyvyys on 16 (Queue Depth 16) tai yli. Tarkempia testituloksia pääseet lukemaan AnandTechin artikkelista. Myös PC Perspective on päässyt ajamaan etäyhteydellä vastaavat testit.

 

Samsungin toisen sukupolven 10 nm FinFET-tekniikka on valmiina massatuotantoon

21.4.2017 - 09:52 / Juha Kokkonen Mobiili Kommentit (1)

Uusi 10 nm LPP -valmistusprosessi mahdollistaa suorituskykyisemmät ja virtapihimmät piirit.

Samsung on ilmoittanut uuden toisen sukupolven 10 nm 3D FinFET -valmistustekniikkansa olevan valmiina piirituotantoon. Samalla yritys myös ilmoitti aikeistaan lisätä tuotantokapasiteettiaan asentamalla 10 nanometrin tuotantolaitteiston uusimmalle S3-linjalleen Korean Hwaseongiin. Tuotannon odotetaan alkavan S3-linjalla viimeisen vuosineljänneksen aikana.

Samsungin toisen sukupolven 10 nm 3D FinFET -valmistusprosessi on lisänimeltään LPP (Low Power Plus) ja se sisältää parannuksia ensimmäisen sukupolven LPE (Low Power Early) -prosessiin nähden. Sen johdosta piirien suorituskyvyn kerrotaan paranevan 10 % ja virrankulutuksen laskevan 15 %.

Tällä hetkellä Samsungin Exynos 8895- ja Qualcommin Snapdragon 835 -järjestelmäpiirit valmistetaan ensimmäisen sukupolven 10 nm LPE-prosessilla. Toistaiseksi ei ole tiedossa, tullaanko kyseisistä piireistä näkemään uudella LPP-prosessilla valmistetut parannellut versiot, vai käytetäänkö toisen sukupolven 10 nm valmistusprosessia vasta yritysten seuraavan sukupolven järjestelmäpiireissä.

10 nanometrin valmistusprosessi on tällä hetkellä edistynein massatuotantokäytössä oleva piirivalmistustekniikka. Samsung oli ensimmäinen puolijohdevalmistaja, joka aloitti piirituotannon 10 nm:n tekniikalla viime lokakuussa. Valmistusprosesseilla on tapana ”kypsyä” ajan myötä, jonka myötä niistä otetaan käyttöön edistyneempiä versioita. Esimerkiksi Samsungin kahden vuoden takainen Exynos 7420 -järjestelmäpiiri valmistettiin 14 nm LPE -prosessilla, kun taasen vuotta myöhemmin julkaistussa Exynos 8890 -piirissä oli siirrytty kehittyneempään 14 nm LPP -prosessiin.

Myös Intel kertoi hiljattain suunnitelmistaan 10 nanometrin valmistusprosessinsa suhteen, jonka käyttöönotto on viivästynyt reilusti alkuperäiseen aikatauluun nähden. Intelin mukaan sen tuleva 10 nm valmistusprosessi on kuitenkin kokonaisen sukupolven kilpailijoita edellä, jonka myötä sen transistoritiheys on niihin nähden jopa kaksinkertainen. Hyper Scaling -teknologian ansiosta Intelin 10 nm prosessilla yhdelle neliömillille saadaan mahtumaan peräti 100,8 miljoonaa transistoria. Lisäksi Intelin 10 nm prosessin etuja tulee olemaan, että se sopii hyvin eri tyyppisten piirien valmistukseen. Intelin seuraavan sukupolven Cannonlake-prosessorit tullaan valmistamaan yrityksen uudella 10 nm prosessilla, mutta tekniikkaa voidaan hyödyntää myös järjestelmäpiirien valmistuksessa.

Lähde: Samsung