Samsungin toisen sukupolven HBM2-muistit nostavat muistipiirien nopeuden 2,4 gigabittiin sekunnissa per pinni.

Samsung on ilmoittanut aloittaneensa toisen sukupolven HBM2-muistien valmistuksen. Aquaboltiksi ristitty toisen sukupolven HBM2-muisti nostaa muistien nopeudet selvästi aiempia korkeammiksi.

Samsungin tiedotteen mukaan yhtiön uudet Aquabolt HBM2 -muistit nostavat muistipiirien nopeuden 2,4 gigabittiin sekunnissa per pinni. Muistit ovat kapasiteetiltaan 8 gigatavua ja niiden käyttöjännite on 1,2 volttia. 1024-bittisen muistiväylän ansiosta yksi Aquabolt HBM2 -muisti tarjoaa muistikaistaa parhaimmillaan 307 gigatavua sekunnissa.

Muutos ensimmäisen sukupolven Flarebolt HBM2 -muisteihin on merkittävä, sillä yhtiön aiemmat 8 gigatavun HBM2-muistit toimivat 1,2 voltin jännitteella 1,6 Gbps:n nopeudella per pinni (204,8 Gt/s per HBM2-muisti) tai 1,35 voltin jännitteellä 2 Gbps:n nopeudella per pinni (256 Gt/s per HBM2-muisti).

Samsungin mukaan yhtiö onnistui saavuttamaan uudet nopeudet parantamalla etenkin muistipiirien lämmönhallintaa sekä muistipinojen läpivientien (TSV, Through Silicon Via) suunnittelua. Aquabolt HBM2 -muisteissa käytetään peräti 5000 läpivientiä per muistipino, jonka lisäksi DRAM-muistipiirien välisiä lämpöä siirtäviä kontakteja on lisätty aiempaan nähden. Muistipinon pohjaan on lisätty lisäksi uusi suojakerros parantamaan pinon fyysistä kestävyyttä.

Lähde: Samsung

This site uses XenWord.