Samsung kertoi lisätietoja ensi vuonna käyttöön tulevasta 3 nanometrin GAAFET-prosessista

12.3.2021 - 14:34/ Petrus Laine Kommentit (7)

GAAFET-transistoreissa siirrytään kanava-evän kolmelta sivulta ympäröineistä hiloista nanolankoihin ja -levyihin, jotka ovat täysin hilan ympäröimiä.

Lue lisää

3 nm 3GAE GAAFET MBCFET Nanosheet Nanowire Samsung