Alphawave IP ja TSMC tuottivat ensimmäiset piirit uudella N3E-valmistusprosessilla

27.10.2022 - 18:23/ Petrus Laine Kommentit (0)

N3E on TSMC:n toisen sukupolven 3 nanometrin luokan EUV-valmistusprosessi ja sen odotetaan olevan huomattavasti varhaisempaa N3-prosessia suositumpi.

Lue lisää

3 nm Alphawave IP N3 N3E TSMC

TSMC esitteli FinFlex-teknologian N3-valmistusprosesseille

17.6.2022 - 08:14/ Petrus Laine Kommentit (0)

FinFlex mahdollistaa suorituskykyoptimoitujen, keskilinjaa noudattavien sekä tiheys- ja energiatehokkuusoptimoitujen transistorien käytön samassa sirussa.

Lue lisää

3 nm FinFlex N3 N3E TSMC

Samsung kertoi lisätietoja ensi vuonna käyttöön tulevasta 3 nanometrin GAAFET-prosessista

12.3.2021 - 14:34/ Petrus Laine Kommentit (7)

GAAFET-transistoreissa siirrytään kanava-evän kolmelta sivulta ympäröineistä hiloista nanolankoihin ja -levyihin, jotka ovat täysin hilan ympäröimiä.

Lue lisää

3 nm 3GAE GAAFET MBCFET Nanosheet Nanowire Samsung

TSMC: 5 nanometrin N5 aikataulussaan, massatuotanto alkaa ensi vuoden ensimmäisellä puoliskolla

24.10.2019 - 22:57/ Petrus Laine Kommentit (23)

TSMC:n mukaan sen N5-prosessin saannot ovat jo nyt riskituotantovaiheessa hyvät.

Lue lisää

3 nm 5 nm 7 nm EUV N3 N5 N6 N7 TSMC