Samsung kertoi lisätietoja ensi vuonna käyttöön tulevasta 3 nanometrin GAAFET-prosessista

12.3.2021 - 14:34/ Petrus Laine Kommentit (7)

GAAFET-transistoreissa siirrytään kanava-evän kolmelta sivulta ympäröineistä hiloista nanolankoihin ja -levyihin, jotka ovat täysin hilan ympäröimiä.

Lue lisää

TSMC: 5 nanometrin N5 aikataulussaan, massatuotanto alkaa ensi vuoden ensimmäisellä puoliskolla

24.10.2019 - 22:57/ Petrus Laine Kommentit (23)

TSMC:n mukaan sen N5-prosessin saannot ovat jo nyt riskituotantovaiheessa hyvät.

Lue lisää