Samsung aloitti piirituotannon 3 nanometrin GAAFET-valmistusprosessilla

1.7.2022 - 12:56/ Petrus Laine Kommentit (11)

Vuosia sitten evällä varustetut FinFET-transistorit korvasivat markkinoilla planaariset ”2D-transistorit”, nyt on FinFETin vuoro väistyä nanokanaviin ja -liuskoihin perustuvien Gate All Around -transistorien tieltä.

Lue lisää

3nm GAAFET MBCFET Nanosheet Nanowire Samsung

Samsung kertoi lisätietoja ensi vuonna käyttöön tulevasta 3 nanometrin GAAFET-prosessista

12.3.2021 - 14:34/ Petrus Laine Kommentit (7)

GAAFET-transistoreissa siirrytään kanava-evän kolmelta sivulta ympäröineistä hiloista nanolankoihin ja -levyihin, jotka ovat täysin hilan ympäröimiä.

Lue lisää

3 nm 3GAE GAAFET MBCFET Nanosheet Nanowire Samsung