Samsungin Galaxy S23 -mallit kattavissa vuodoissa ja puhelinten piirivalinta uusien huhujen kohteena

Samsungin odotetaan julkistavan uuden Galaxy S23 -mallistonsa helmikuun 1. päivä pidettävässä Galaxy Unpacked -tapahtumassa. Nyt kaikista kolmesta julkaistavaksi odotetusta puhelimesta on vuotanut verkkoon käytännössä kaiken kattavat ominaisuuslistaukset.

Vuodot vahvistavat jo pitkään huhuissa pyörineet odotukset, joiden mukaan Samsung käyttäisi tulevissa puhelimissaan Qualcommin Snapdragon 8 Gen 2 -järjestelmäpiirejä kautta maailman, eli Exynoksen käytöstä olisi luovuttu kokonaan. Galaxy S23:ssa ja S23+:ssa piirin parina on 8 Gt RAM-muistia ja Ultra-mallissa puolestaan versiosta riippuen 8 tai 12 Gt. Tallennustilaa S23-perusmalliin on vuodon mukaan tarjolla 128 tai 256 Gt ja S23+:aan sekä Ultraan puolestaan minimissään 256 Gt, minkä lisäksi tarjolle tulisi myös 512 Gt:n versio.

Uuden piirin lisäksi Samsung olisi vuodon mukaan kasvattamassa perusmalliensa akkuja 200 mAh:lla, minkä myötä S23:n akun kapasiteetti olisi 3900 mAh ja S23+:n puolestaan 4700 mAh. S23 Ultran akku säilyy vuotojen mukaan ennallaan 5000 mAh:ssa. Lataustehot ovat myös viime sukupolvesta tutut, eli perusmalli tarjoaisi 25 watin pikalatauksen ja muut mallit puolestaan 45 watin pikalatauksen.

Kameroiden osalta perusmallit luottavat 50 megapikselin pääkameraan, 12 megapikselin ultralaajakulmakameraan sekä 10 megapikselin telekameraan ja Ultran puolestaan odotetaan tarjoavan aiemmin tällä viikolla julkaistua Samsungin 200 megapikselin Isocell HP2 –sensoria käyttävän pääkameran ja S22 Ultrasta tutut ultralaajakulmakameran, 3x-telekameran ja 10x-telekameran.

Vuotojen jälkeen markkinoille on kuitenkin hiipinyt huhu, jonka mukaan Samsung ei käyttäisi puhelimissaan aivan tavanomaista Snapdragon 8 Gen 2:ta, vaan kyseessä olisi valmistajalle tehty erikoismalli. Huhujen mukaan piirin nimi olisi Qualcomm Snadragon 8 Gen 2 Mobile Platform For Galaxy.

Perusominaisuuksiltaan piiri vastaisi tavanomaista 8 Gen 2 -piiriä, mutta Samsungin version huhutaan yltävän prosessoripuoleltaan perusmallin 3,2 GHz:n sijaan korkeampaan 3,36 GHz:iin. Lisäksi huhujen mukaan piirin valmistus saattaisi tapahtua TSMC:n sijaan Samsungin omalla tehtaalla.

Lähteet: 9to5Google, GSMArena (1), (2)