Videocardz-sivusto on vuotanut aidoilta vaikuttavat esittelydiat Qualcommin tulevasta Snapdragon 835 -järjestelmäpiiristä.

10 nanometrin toisen sukupolven FinFET-tekniikalla valmistettava piiri on fyysisesti selvästi Snapdragon 820 -edeltäjämallia pienempi, joka tarkoittaa lisää tilaa laiteen muille komponenteille. Virrankulutus on puolestaan yhdessä diassa näkyvän kuvaajan perusteella 50 % pienempi, kuin Snapdragon 801 -piirillä.

Diojen mukaan piirissä käytetään Kryo 280 -prosessoriytimiä, joita on kaikkiaan kahdeksan kappaletta. Prosessoriytimistä neljä on ns. performance-ytimiä, joiden kellotaajuus on maksimissaan 2,45 GHz ja joissa on kaksi megatavua L2-tason välimuistia. Neljä efficiency-ydintä toimivat puolestaan 1,9 GHz maksimikellotaajuudella (1 Mt L2) ovat käytössä suurimman osan ajasta. Kellotaajuudet ovat alhaisempia, kuin aiemmin on huhuiltu.

Uuden Adreno 540 -grafiikkasuorittimen kehutaan olevan 25 % suorituskykyisempi ja pystyvän näyttämään 60 kertaa enemmän värisävyjä kuin Adreno 530. Näyttösuoritin (DPU) tukee 4K-tarkkuuden näyttöjä 60 FPS:n ruudunpäivitysnopeudella. Videosuoritin (VPU) mahdollistaa 10-bittisen HEVC-videotoiston 4K-tarkkuudella.

Lisäksi piiristä löytyy diojen mukaan mm. Spectra 180 -kuvasignaaliprosessori, Hexagon 690 -digitaalisignaaliprosessori, Haven-tietoturvayksikkö ja iZat-paikannusyksikkö. Tuetun Quick Charge 4 -pikalatauksen kerrotaan mahdollistavan akun lataaminen 20 % nopeammin kuin QC3:lla. X16 LTE-modeemin puolestaan kehutaan olevan ensimmäinen ”gigabittiluokan” LTE-modeemi.

Qualcomm on jo aiemmin vahvistanut Twitter-sivuillaan esittelevänsä Snapdragon 835 -piirin loppuviikosta Las Vegasissa alkavilla CES-messuilla, joten muutaman päivän päästä näemme olivatko Videocardzin vuotamat diat aitoja tai lopullisia versioita.

Lähde: Videocardz.com

This site uses XenWord.