Rambusin mukaan HBM3-muistien odotetaan tuplaavan nopeuden HBM2:een nähden, kun DDR5 korottaa DDR3:n ja DDR4:n nopeutta 50 prosentilla.

Rambus herättää nimenä monille ikäviä muistoja patenttitrollista, mutta yhtiö on edelleen tiukasti mukana uusien muistiteknologioiden ja -ohjainten kehitystyössä. ComputerBase on saanut käsiinsä yhtiön sijoittajille esittelemiä dioja, joissa kerrotaan tulevista HBM3- ja DDR5-muistiohjaimista ja siten myös itse muistien ominaisuuksista.

Rambusin dian mukaan sekä HBM3- että DDR5-muistiohjaimet tullaan valmistamaan todennäköisimmin 7 nanometrin valmistusprosessilla. HBM3-muistien odotetaan kaksinkertaistavan nopeuden HBM2:n 2000 Mbps:stä 4000 Mbps:ään, jonka lisäksi muistien fyysinen design tulee muuttumaan nykyisten HBM- ja HBM2-muistien 2,5D-ratkaisusta toistaiseksi tuntemattomaan ratkaisuun.

DDR5-muistiohjaimista yhtiöllä oli vähemmän kerrottavaa. Odotetun valmistusteknologian ohella diassa mainitaan vain muistien odotetun nopeuden liikkuvan 4800 – 6400 Mbps:n tienoilla, kun nykyisten DDR3- ja DDR4-muistien raja tulee virallisten spesifikaatioiden mukaan 3200 Mbps:ssä. Yhtiön oman DDR5-muistiohjaimen kehitystyö etenee linjassa JEDECin DDR5-kehitystyön kanssa.

7 nanometrin valmistusprosessin myötä uusia muisteja ja muistiohjaimia voitaneen odottaa markkinoille aikaisintaan vuonna 2020, vaikka puolijohdevalmistajat uskovatkin saavansa ensimmäisen sukupolven 7 nanometrin valmistusprosessinsa tuotantokuntoon jo ensi vuonna. Muistivalmistaja Micron on aiemmin todennut DDR5-muistien tuotannon alkavan luultavasti 2019 ja muistipiirien saapuvan markkinoille 2020.

Lähde: ComputerBase

This site uses XenWord.