Rambus herättää nimenä monille ikäviä muistoja patenttitrollista, mutta yhtiö on edelleen tiukasti mukana uusien muistiteknologioiden ja -ohjainten kehitystyössä. ComputerBase on saanut käsiinsä yhtiön sijoittajille esittelemiä dioja, joissa kerrotaan tulevista HBM3- ja DDR5-muistiohjaimista ja siten myös itse muistien ominaisuuksista.
Rambusin dian mukaan sekä HBM3- että DDR5-muistiohjaimet tullaan valmistamaan todennäköisimmin 7 nanometrin valmistusprosessilla. HBM3-muistien odotetaan kaksinkertaistavan nopeuden HBM2:n 2000 Mbps:stä 4000 Mbps:ään, jonka lisäksi muistien fyysinen design tulee muuttumaan nykyisten HBM- ja HBM2-muistien 2,5D-ratkaisusta toistaiseksi tuntemattomaan ratkaisuun.
DDR5-muistiohjaimista yhtiöllä oli vähemmän kerrottavaa. Odotetun valmistusteknologian ohella diassa mainitaan vain muistien odotetun nopeuden liikkuvan 4800 – 6400 Mbps:n tienoilla, kun nykyisten DDR3- ja DDR4-muistien raja tulee virallisten spesifikaatioiden mukaan 3200 Mbps:ssä. Yhtiön oman DDR5-muistiohjaimen kehitystyö etenee linjassa JEDECin DDR5-kehitystyön kanssa.
7 nanometrin valmistusprosessin myötä uusia muisteja ja muistiohjaimia voitaneen odottaa markkinoille aikaisintaan vuonna 2020, vaikka puolijohdevalmistajat uskovatkin saavansa ensimmäisen sukupolven 7 nanometrin valmistusprosessinsa tuotantokuntoon jo ensi vuonna. Muistivalmistaja Micron on aiemmin todennut DDR5-muistien tuotannon alkavan luultavasti 2019 ja muistipiirien saapuvan markkinoille 2020.
Lähde: ComputerBase
Mistä nuo mbps luvut on revitty? Oletan kuitenkin hbm2/3 muistin olevan paljon nopeampaa kuin ddr4/5
Nopeampaahan se on kun paljon leveämpi muistiväylä.
Mbps-lukema tarkoittaa muisteissa johtokohtaista nopeutta, ja johtokohtainen nopeus HBMllä on pienempi.
HBM vaan mahdollistaa niiden rinnakkaisten johtojen määrän kasvattamisen todella moninkertaiseksi(esim 2048 vs 256 tai 4096 vs 512), jolloin kokonaisuudessaan kaistaa on paljon enemmän.
Pinni lienee kyllin lähellä totuutta koska microbumpit siellä kuitenkin on kontakteina