Samsung julkisti ensimmäisen uusiin Z-NAND-muisteihin perustuvan SSD-aseman

SSD-asemien markkinoita ovat hallinneet pitkään perinteiset Flash NAND -piireihin perustuvat ratkaisut. Tähän mennessä käytännössä ainut kilpailija NAND-muisteille on ollut Intelin ja Micronin 3D XPoint -muisti, mutta rinnalle ollaan vihdoin saamassa pitkän odotuksen päätteeksi Samsungin kehittämä Z-NAND.

Samsung esitteli Z-NAND-teknologian alun perin jo 2016, mutta yhtiö on ollut tiukkasanainen niiden takana piilevän teknologian osalta. Ensimmäisen Z-NAND-muisteihin perustuvan SSD-aseman julkaisu ei valitettavasti tuo tilanteeseen muutosta, mutta nimen perusteella kyse on NAND-teknologiaan tavalla tai toisella nojaavasta jatkokehitelmästä.

Ensimmäinen Z-NAND-SSD-asema on nimeltään Samsung SZ985 Z-NAND SSD. Kyseessä on yrityskäyttöön tarkoittu PCI Express x4 -väyläinen SSD-asema, jonka luvataan tarjoavan erittäin matalia viiveitä. Ainakin aluksi asemasta julkaistaan vain 240 Gt:n ja 800 Gt:n kapasiteeteilla varustetut versiot. Uutisessa mainitut tiedot ja suorituskykylukemat koskevat 800 Gt:n versiota, sillä Samsung ei julkaissut vastaavia tietoja 240 Gt:n asemasta tai maininnut kykeneekö se vastaavaan suorituskykyyn.

Samsung lupaa asemalleen 3,2 Gt/s:n sarjaluku- ja -kirjoitusnopeuksia, kun satunnaiskirjoitusnopeus on 170 000 IOPSia ja satunnaislukunopeus peräti 750 000 IOPSia. Yhtiön mukaan satunnaisluvun viiveet ovat 12 – 20 µs ja -kirjoituksen 16 µs. SZ985:lle luvataan 30 DWPD:n kestoa 5 vuoden takuuajalla. AnandTechin tietojen mukaan asema on varustettu peräti 1,5 Gt:n DDR4-välimuistilla, mikä on liki kaksinkertaisesti verrattuna vastaavan kapasiteetin perinteiseen SSD-asemaan.

Samsung julkaisi samalla myös ensimmäisiä suorituskykytestejä uudella Z-NAND-SSD-asemallaan. Verrokiksi on asetettu PM1725a, eli yhtiön viime vuoden loppupuolella julkaisema yrityskäyttöön suunnattu TLC V-NAND -piireihin perustuva SSD-asema.

RocksDB-tietokantasovelluksessa uusi Z-NAND-muisteihin perustuva SZ985 tarjoaa kaksinkertaisen määrän operaatioita per sekunti ja leikkaa keskimääräisen viiveen noin 280:sta 140 µs:iin. Tietokantapohjaisten verkkosivujen kiihdytykseen tarkoitetussa Memcached-välimuistisovelluksessa ja sen SSD-asemiin laajentavassa Fatcachessa saavutetaan Z-SSD-asemalla Samsungin mukaan 60 % suorituskykyparannus ja käyttöjärjestelmän heittovaihtotiedoston sijaintina suorituskyvyn (operaatiota sekunnissa) kerrotaan paranevan Z-SSD-asemalla peräti kolminkertaiseksi, kun viiveet tippuvat samalla kolmannekseen PM1725a:n verrokkituloksesta.

Samsungin nyt julkistamat Z-SSD-asemat tuodaan virallisesti markkinoille ISSCC 2018 -konferenssin yhteydessä 11. – 15. helmikuuta.

Lähde: Samsung