Uusi 10 nm LPP -valmistusprosessi mahdollistaa suorituskykyisemmät ja virtapihimmät piirit.

Samsung on ilmoittanut uuden toisen sukupolven 10 nm 3D FinFET -valmistustekniikkansa olevan valmiina piirituotantoon. Samalla yritys myös ilmoitti aikeistaan lisätä tuotantokapasiteettiaan asentamalla 10 nanometrin tuotantolaitteiston uusimmalle S3-linjalleen Korean Hwaseongiin. Tuotannon odotetaan alkavan S3-linjalla viimeisen vuosineljänneksen aikana.

Samsungin toisen sukupolven 10 nm 3D FinFET -valmistusprosessi on lisänimeltään LPP (Low Power Plus) ja se sisältää parannuksia ensimmäisen sukupolven LPE (Low Power Early) -prosessiin nähden. Sen johdosta piirien suorituskyvyn kerrotaan paranevan 10 % ja virrankulutuksen laskevan 15 %.

Tällä hetkellä Samsungin Exynos 8895- ja Qualcommin Snapdragon 835 -järjestelmäpiirit valmistetaan ensimmäisen sukupolven 10 nm LPE-prosessilla. Toistaiseksi ei ole tiedossa, tullaanko kyseisistä piireistä näkemään uudella LPP-prosessilla valmistetut parannellut versiot, vai käytetäänkö toisen sukupolven 10 nm valmistusprosessia vasta yritysten seuraavan sukupolven järjestelmäpiireissä.

10 nanometrin valmistusprosessi on tällä hetkellä edistynein massatuotantokäytössä oleva piirivalmistustekniikka. Samsung oli ensimmäinen puolijohdevalmistaja, joka aloitti piirituotannon 10 nm:n tekniikalla viime lokakuussa. Valmistusprosesseilla on tapana ”kypsyä” ajan myötä, jonka myötä niistä otetaan käyttöön edistyneempiä versioita. Esimerkiksi Samsungin kahden vuoden takainen Exynos 7420 -järjestelmäpiiri valmistettiin 14 nm LPE -prosessilla, kun taasen vuotta myöhemmin julkaistussa Exynos 8890 -piirissä oli siirrytty kehittyneempään 14 nm LPP -prosessiin.

Myös Intel kertoi hiljattain suunnitelmistaan 10 nanometrin valmistusprosessinsa suhteen, jonka käyttöönotto on viivästynyt reilusti alkuperäiseen aikatauluun nähden. Intelin mukaan sen tuleva 10 nm valmistusprosessi on kuitenkin kokonaisen sukupolven kilpailijoita edellä, jonka myötä sen transistoritiheys on niihin nähden jopa kaksinkertainen. Hyper Scaling -teknologian ansiosta Intelin 10 nm prosessilla yhdelle neliömillille saadaan mahtumaan peräti 100,8 miljoonaa transistoria. Lisäksi Intelin 10 nm prosessin etuja tulee olemaan, että se sopii hyvin eri tyyppisten piirien valmistukseen. Intelin seuraavan sukupolven Cannonlake-prosessorit tullaan valmistamaan yrityksen uudella 10 nm prosessilla, mutta tekniikkaa voidaan hyödyntää myös järjestelmäpiirien valmistuksessa.

Lähde: Samsung

This site uses XenWord.