Yhdessä SK Hynixin nopeimpien HBM2E-muistien kanssa uusi muistiohjain mahdollistaa 460 Gt/s:n kaistan yhdellä muistipinolla ja teoriassa itse muistiohjain yltäisi 512 Gt/s:n kaistaan.

Muistiteknologioistaan niin hyvässä kuin pahassa tunnettu Rambus on ilmoittanut saavuttaneensa uuden virstanpylvään HBM2E-muistiohjainten saralla. HBM2E on edelleen kehitetty versio HBM2-muisteista ja se tarjoaa aiempaa suurempia nopeuksia per muistipino.

Rambus on kertonut kehittäneensä maailman nopeimman HBM2E-muistiohjaimellaan ja PHY:llään (Phyiscal Layer, fyysinen linkki) peräti 4 Gbps:n nopeuden. Käytännössä kaikkea siitä ei voida vielä kuitenkaan saada irti, sillä tällä hetkellä nopeimmat HBM2E-muistit ovat SK Hynixin 3,6 Gbps:n muistipinot. Todentaakseen toteutustensa nopeuden Rambus tekikin yhteistyötä nimenomaan SK Hynixin sekä Alchipin kanssa.

Rambusin mukaan yhtiön muistiohjain ja PHY ovat tuotantovalmiit ja se on todennettu valmistuttamalla 2,5D-paketoitu kokonaisuus SK Hynixin HBM2E-muistipiireillä ja yhteistyössä Alchipin kanssa suunnitellulla interposerilla ja paketoinnilla. Piiri valmistettiiin TSMC:n 7 nanometrin N7-prosessilla hyödyntäen CoWoS-paketointia (Chip-on-Wafer-on-Substrate).

Teoriassa 4 Gbps:n nopeus mahdollistaisi 512 Gt/s:n siirtonopeuden per muistipino, mutta koska itse muistit toimivat toistaiseksi parhaimmillaan 3,6 Gbps:n nopeudella, riittää Rambusin ohjaimet ja SK Hynixin muistipinot tällä hetkellä 460 Gt/s:n kaistaan per muistipino.

Lähde: Rambus

This site uses XenWord.