Samsung on ilmoittanut aloittaneensa ensimmäisten eUFS 3.1 -standardin mukaisten Flash-muistien tuotannon. Tahtia voidaan pitää varsin nopeana, sillä eUFS 3.1 -standardi (Embedded Universal Flash Storage) julkaistiin JEDECin toimesta vasta tammikuussa.
Samsungin uudet 512 gigatavun eUFS 3.1 -muistit on suunniteltu tuleviin lippulaivapuhelimiin ja ne rikkovat ensimmäistä kertaa gigatavun sekuntinopeuden kirjoituksissa. Liki kolminkertainen kirjoitusnopeus edeltävään 3.0-versioon nähden mahdollistaa muun muassa 8K-videoiden tallennuksen ja suurten kuvien tallennuksen ilman tarvetta erilliselle puskuroinnille.
eUFS 3.1 -muistin perättäislukunopeus on 3.0:n tapaan maksmissaan 2100 Mt/s, mutta -kirjoitusnopeutta on kasvatettu 3.0:n 410 Mt/s:stä 1200 megatavuun sekunnissa. Satunnaislukunopeudet ovat yhtiön mukaan kasvaneet noin 60 %:lla 100 000 IOPSiin, mutta satunnaiskirjoitusnopeudessa ero on maltillinen, 70 000 IOPSia kun eUFS 3.0 -muisteilla se oli 68 000 IOPSia.
Samsung tulee tuottamaan eUFS 3.1 -standardin mukaisia Flash-muisteja myös 128 ja 256 gigatavun kapasiteeteissa käytettäviksi edullisemmissa älypuhelimissa myöhemmin tämän vuoden aikana.
Lähde: Samsung
ne rikkovat ensimmäistä kertää -> kertaa
Korjataas. Jatkossa tällaiset tätä kautta: Palaute – io-tech.fi