Korkeaan kapasiteettiin on ylletty muun muassa kasvattamalla yksittäisen muistipiirin sisältä löytyvien DRAM-sirujen määrää neljästä kahdeksaan.

DDR5-muistit tekevät tuloaan markkinoille parhaillaan ja useat valmistajat ovat jo vähintään kertoneet tuovansa tänä vuonna muisteja markkinoille. Näiden valmistajien joukkoon mahtuu myös Samsung, joka esitteli Hot Chips 33 -tapahtumassa peräti 512 Gt:n DDR5-7200-muistikampaa.

Samsungin Hot Chips 33 -tapahtumassa esittelemä muistikampa hyödyntää yhtiön uusia muistipiirejä, joissa pinotaan peräti kahdeksan DDR5-muistisirua yhteen paketointiin TSV-läpivienneillä (Through Silicon Via), kun DDR4-sukupolvessa jäätiin neljään päällekkäiseen siruun. Lisäksi yhtiö on onnistunut pienentämään sirujen väliin jäävää tilaa noin 40 % mikä yhdessä muiden piirejä ohentavien teknologioiden avulla mahdollistaa entistä matalammat sirut. 4 pinotun sirun DDR4-piirin korkeus oli 1,2 mm, kun 8 sirun DDR5-muistin korkeus jää tasan 1 millimetriin.

Yhtiön diojen mukaan uusi DDR5-muisti tarjoaa DDR4-sukupolveen verrattuna 1,4-kertaista suorituskykyä, 2,2-kertaista nopeutta, kaksinkertaista kapasiteettia ja selvästi aiempaa matalampaa jännitettä. Muisti toimii DDR5-7200-nopeudella eli se kykenee siirtämään dataa 7,2 Gbps:n nopeudella. Muistien energiatehokkuuden kerrotaan lisäksi parantuneen jopa noin 30 % kiitos paitsi HKMG-teknologian (High-K Metal Gate), myös matalamman käyttöjännitteen myötä.

Lähde: AnandTech

This site uses XenWord.