DDR5-muistit tekevät tuloaan markkinoille parhaillaan ja useat valmistajat ovat jo vähintään kertoneet tuovansa tänä vuonna muisteja markkinoille. Näiden valmistajien joukkoon mahtuu myös Samsung, joka esitteli Hot Chips 33 -tapahtumassa peräti 512 Gt:n DDR5-7200-muistikampaa.
Samsungin Hot Chips 33 -tapahtumassa esittelemä muistikampa hyödyntää yhtiön uusia muistipiirejä, joissa pinotaan peräti kahdeksan DDR5-muistisirua yhteen paketointiin TSV-läpivienneillä (Through Silicon Via), kun DDR4-sukupolvessa jäätiin neljään päällekkäiseen siruun. Lisäksi yhtiö on onnistunut pienentämään sirujen väliin jäävää tilaa noin 40 % mikä yhdessä muiden piirejä ohentavien teknologioiden avulla mahdollistaa entistä matalammat sirut. 4 pinotun sirun DDR4-piirin korkeus oli 1,2 mm, kun 8 sirun DDR5-muistin korkeus jää tasan 1 millimetriin.
Yhtiön diojen mukaan uusi DDR5-muisti tarjoaa DDR4-sukupolveen verrattuna 1,4-kertaista suorituskykyä, 2,2-kertaista nopeutta, kaksinkertaista kapasiteettia ja selvästi aiempaa matalampaa jännitettä. Muisti toimii DDR5-7200-nopeudella eli se kykenee siirtämään dataa 7,2 Gbps:n nopeudella. Muistien energiatehokkuuden kerrotaan lisäksi parantuneen jopa noin 30 % kiitos paitsi HKMG-teknologian (High-K Metal Gate), myös matalamman käyttöjännitteen myötä.
Lähde: AnandTech
Ei. Aivan eriasiasta kyse. Käsittääkseni tämä kampa on palvelinpuolelle muutenkin suunnattu ja hinta sen mukainen.
Ei. Käytännössä kaikki data menetetään pienimmästäkin virtakatkosta, mikä ei oikein ole massamuistille toivottava ominaisuus. Lisäksi näiden hintahan on jotain ihan posketonta. Nuo nykyisellään saatavilla olevat 256 GB DDR4-palikatkin maksaa luokkaa 5 tonnia kipaleelta, näille veikkaisin alkuvaiheessa jotain 3-4x hintaa siihen nähden.
HMB (Host Memory Buffer) on jo olemassa SSD:n nopeutukseen ja tässä vaan saa sitä kasvatetuksi halutessaan. Kuitenkin, kun et ole siitä kuullut, niin ei se ole muutenkaan mikään suurmenestys. Käytännössä oma RAM-muisti SSD:ssä on vieläkin parempi ja HMB on jäänyt halpojen asemien käyttöön.
CL-lukemista eivät puhuneet.
7200 mega siirtoa sekunnissa , 7200mhz vai mitä häh. Ei ihme et ihmiset ostaa mitä sattuu
Megasiirtoa tai Mbps. Ei mitään hertsejä, ne on valmistajien ja valitettavasti nykyään monen tekniikkasivuston markkinointiroskaa ilman kosketuspintaa todellisuuteen
Eivät voineet puhua, koska DDR5-standardit (JEDEC) menevät tällä hetkellä vain DDR5-6400:n asti.
Anandilla arvioivat, että menevät jonnekin 50-50-50 ja 60-60-60 välimaastoon.
https://www.anandtech.com/show/16900/samsung-teases-512-gb-ddr5-7200-modules
Anandilla on myös taulukko JEDEC DDR5-ajoituksista, mutta sielläkin on mainittu nDDR5-7200 vain ’Future Bins’ -kategoriassa.
katso liitettä 672110
Ja ilman kunnon (CPUlle asti menevää) ECC tukea ja UPSia HMB on lähinnä senkan kaivamista omasta nokasta.
Miten niin? Jos informaatiota siirtyy jokaista datasignaalijohdinta pitkin 7200 megabittiä sekunnissa, niin kyllä silloin voidaan mielestäni ihan hyvin puhua 7200 MHz:n tai 7,2 GHz:n (efektiivisestä) kellotaajuudesta. Kokonaan eri asia sitten on se, että kellotaajuudesta lasketun maksimikaistan saavuttaminen muuttuu muistisukupolvi toisensa jälkeen vaikeammaksi, kun epäsuhta latenssien ja kellojakson pituuden välillä kasvaa samaa tahtia kuin muistiväylän kellotaajuutta nostetaan.
7200 Mbps per datalinja, joka 64 bittiä leveällä dataväylällä tekee 460,8 Gbps eli 57,6 GBps. Eiköhän se, että ihmiset ostelevat mitä sattuu, johdu enemmän siitä että ei jakseta ottaa asioista selvää eikä ymmärretä mm. eroa bitin ja tavun välillä. Sinullakin näyttäisi menevän megahertsit ja millihertsit sekaisin.
Ei voida. Kellotaajuus tarkoittaa kellosignaalin taajuutta ja tuolla ei ole missään mitään lähellekään 7.2 GHz kellotaajuutta.
Tuon muistiväylän kellotaajuus on 3.6 GHz mutta dataa voi siirtyä sekä nousevalla että laskevalla kellonreunalla.
Datansiirtotaajuus ja kellotaajuus on aivan eri asioita.
Ja muistipiirien sisäinen kellotaajuus on sitten monta kertaa pienempi.
Kun kyseessä ei ole kellotaajuus niin voi sitten puhua vaikka pelkästään taajuudesta ilman mitään etuliitettä jos datansiirtotaajuus kuulostaa liian pitkältä sanalta. Silloin termistö ei ole mitenkään varsinaisesti väärin, vaan vain hiukan outoa.
Itse asiassa se ei DDR5lla muutu yhtään välttämättä yhtään vaikeammaksi, koska muistikanavan leveys on puolitettu; Yhteen purskesiirtoon 7.2 Gbps data ratella kuluu tismalleen sama aika kuin yhteen purskesiirtoon 3.6 Gbps data raten DDR4lla.
Mutta mikäli hyödynnetään DDR5n mahdollisuus tuplata muistikanavien määrä suurinpiirtein samalla pinnimäärällä, sitten toki tarvitaan enemmän rinnakkaisia muistiaccesseja.
Ei DDR5ssa ole 64-bittiä leveää dataväylää, vaan 32 bittiä leveä dataväylä. Tosin yhdellä DIMMillä voi sitten olla kaksi niitä väyliä rinnakkain.
Taitaa olla ihan poikkeuksetta ainakin PC-raudasta puhuttaessa
Datansiirtotaajuus toki olisi varmaan täsmällisin termi asian kuvaamiseen, mutta se ei välttämättä silti ole ihan yhtä yleistajuinen ilmaus kuin "efektiivinen kellotaajuus". Omasta mielestäni ei edelleenkään ole väärin sanoa, että jos dataväylän tai signaalijohtimen tila voi muuttua 7,2 miljardia kertaa sekunnissa, niin sen efektiivinen kellotaajuus on silloin 7,2 gigahertsiä. Tajuan kyllä, että sinun kantasi mukaan tietystä kellotaajuudesta voidaan puhua vain silloin, kun systeemissä on fyysisesti läsnä kellosignaali kyseisellä taajuudella, mutta en tiedä onko tämä kaikin puolin järkevä lähtökohta. Entäs sellaiset signaalit joiden mukana ei siirretä erillistä kellosignaalia (kuten DisplayPort ja HDMI:n uudemmat versiot), vaan datalinjojen tilan näytteistyksessä käytettävä kello generoidaan vastaanottavassa päässä paikallisesti ja synkronoidaan lähettävän pään kanssa datalinjojen transitioiden avulla? Eikö tällaisessa tilanteessa voida mielestäsi lainkaan puhua kellotaajuudesta esim. selvyyden vuoksi, siis niin että käsitteellinen ero (kokonais)kaistanleveyteen olisi mahdollisimman selkeä?
Niin, yhdellä purskesiirrolla siirtyy totuttuun tapaan 64 tavua dataa eli yhden cache linen verran. Aikaa tähän menee nanosekunneissa mitattuna DDR5-6400-muistilta täsmälleen sama määrä kuin DDR4-3200-muistilta, mutta kellojaksoissa mitattuna tuplasti. Jos on tarpeen täyttää vain yksi cache line, niin silloin saavutettu kaistanleveys jää samaan arvoon kuin DDR4:llä, eli kellotaajuuden tuplauksesta ei tässä tapauksessa ollut mitään hyötyä. Jos taas halutaan kaikki kaista irti, niin silloin pitäisi täyttää kaksi cache linea, joista toinen potentiaalisesti turhaan.
Kyllähän huippukaistaan toki päästään silloin, kun luetaan tai kirjoitetaan suuri määrä peräkkäisissä muistiosoitteissa sijaitsevaa dataa ja tiedetään jo ennalta, mitä halutaan lukea/kirjoittaa. Mutta jos tämä ei ole etukäteen tiedossa, ja seuraavaksi luettava/kirjoitettava data riippuu niistä arvoista joita ei ole vielä saatu luettua muistista, niin silloin ei tietenkään päästä sen suurempaan keskimääräiseen kaistaan kuin edellisilläkään muistisukupolvilla. Tämä luonnollisesti tarkoittaa sitä, että jäädään sitä kauemmas teoreettisesta huippukaistasta, mitä suurempi on muistin kellotaajuus.
Viittasin tuolla 64 bitillä nimenomaan kokonaisen muistikamman datalinjojen määrään.
Nyt vasta katsoin taulukkoa, ja täytyy kyllä ihmetellä että miten nuo latenssit ovat noin paljon nousseet. Jos nykyisillä DDR4-3200-muisteilla tyypillinen CAS latency on 16 kellojaksoa eli 10 ns, niin hyppäys jonnekin 14-18 nanosekuntiin tietänee aikamoista pudotusta suorituskykyyn. Mistä päästäänkin kysymykseen: Miksi kukaan ostaisi ensimmäisen sukupolven DDR5-muisteja käyttökohteeseen jossa nimenomaan random access -suorituskyky on tärkeää?
Noi taitaa olla jedec:in virallisen specsin mukaiset nopeudet, kuten 3200 cl 22 1.2 v taitaa olla nopeimmat viralliset ajoitukset 3200 nopeudelle, eikä jedec tunne edes 3600 nopeuksia.
Juuri näin, kyseessä JEDEC-speksi mikä ja nopein DDR4 on juurikin 3200/CL22 JEDECin papereissa
Ei kuulosta kivalta. Oman ymmärrykseni mukaan JEDEC-speksi tuntee kuitenkin DDR3-sukupolven muisteille ihan virallisesti ajoitukset, joissa CL, tRCD ja tRP ovat kaikki 10 ns (DDR3-1600 luokka G). DDR4-3200 CL22 taas vastaa 13,75 nanosekunnin CAS-viivettä. Ilmeisesti kasvavien latenssien taustalla on muistisukupolvesta toiseen aleneva käyttöjännite?