Samsung lähti PCI Express 4.0 -aikakauteen mukaan verrattain myöhään, mutta uusien NAND-sirujen kehittämisessä se ei ole hidastellut. Nyt yhtiö on esitellyt 7. sukupolven V-NAND-piirinsä tuleviin SSD-asemiin.
Samsungin 7. sukupolven V-NAND-piiri rakentuu yhteensä 176 kerroksesta. Huolimatta tästä, sen kerrotaan olevan korkeudeltaan samaa luokkaa 6. sukupolven reilun 100-kerroksisen V-NANDin kanssa. Verrattain matala korkeus on saavutettu yhtiön uusilla, toistaiseksi markkinoiden pienimpien solukokojen kautta. Tiedotteen mukaan kunkin solun tilavuutta on saatu kutistettua yhteensä noin 35 % pienentämällä solua sekä vaaka- että pystysuunnassa.
7. sukupolven V-NAND-piirien suorituskyvyn pitäisi Samsungin mukaan riittää paitsi PCIe 4.0 -väyläisille SSD-asemille, myös tuleville PCIe 5.0 -väyläisille asemille. Yhden sirun kerrotaan tarjoavan maksimissaan 2 Gbps:n I/O-nopeuden. Lisäksi yhtiö aikoo optimoida tulevia SSD-asemiaan erittäin raskaiden sovellusten moniajoa ajatellen. Kaiken muun päälle uuden sukupolven V-NANDin kerrotaan tarjoavan 16 % parempaa energiatehokkuutta 6. sukupolveen verrattuna.
Samassa yhteydessä Samsung kertoi 8. sukupolven V-NAND-piirien kehitystyön olevan jo niin hyvällä mallilla, että se on saanut tuotettua jo ensimmäisen toimivan yli 200-kerroksisen piirin. Yhtiön mukaan niiden julkaisuaikataulu tulee riippumaan ennen kaikkea markkinoiden kysynnästä, tarkentamatta asiaa sen kummemmin.
Lähde: Samsung
Hyvä vain että tekniikka kehittyy. Ehkä sitä kohta voisi hankkia uuden ssd aseman.
Mikä ongelma nyt estää ostamasta uutta ssd:tä?
Ei mikään, paitsi tarve. En vielä tarvitse uutta levyä, joten menen vielä toistaiseksi vanhalla. Sitten kun vihdoin tarvitsen uutta niin nämä ovat varmaan jo saapuneet markkinoille laskemaan(?) hintoja.
Tuossa linkatussa Samsungin jutussa oli niistäkin puhe