Samsung odottaa uuden sukupolven V-NAND-piirien täyttävän paitsi PCIe 4.0 -SSD-asemien, myös tulevien PCIe 5.0 -asemien tarpeet.

Samsung lähti PCI Express 4.0 -aikakauteen mukaan verrattain myöhään, mutta uusien NAND-sirujen kehittämisessä se ei ole hidastellut. Nyt yhtiö on esitellyt 7. sukupolven V-NAND-piirinsä tuleviin SSD-asemiin.

Samsungin 7. sukupolven V-NAND-piiri rakentuu yhteensä 176 kerroksesta. Huolimatta tästä, sen kerrotaan olevan korkeudeltaan samaa luokkaa 6. sukupolven reilun 100-kerroksisen V-NANDin kanssa.  Verrattain matala korkeus on saavutettu yhtiön uusilla, toistaiseksi markkinoiden pienimpien solukokojen kautta. Tiedotteen mukaan kunkin solun tilavuutta on saatu kutistettua yhteensä noin 35 % pienentämällä solua sekä vaaka- että pystysuunnassa.

7. sukupolven V-NAND-piirien suorituskyvyn pitäisi Samsungin mukaan riittää paitsi PCIe 4.0 -väyläisille SSD-asemille, myös tuleville PCIe 5.0 -väyläisille asemille. Yhden sirun kerrotaan tarjoavan maksimissaan 2 Gbps:n I/O-nopeuden. Lisäksi yhtiö aikoo optimoida tulevia SSD-asemiaan erittäin raskaiden sovellusten moniajoa ajatellen. Kaiken muun päälle uuden sukupolven V-NANDin kerrotaan tarjoavan 16 % parempaa energiatehokkuutta 6. sukupolveen verrattuna.

Samassa yhteydessä Samsung kertoi 8. sukupolven V-NAND-piirien kehitystyön olevan jo niin hyvällä mallilla, että se on saanut tuotettua jo ensimmäisen toimivan yli 200-kerroksisen piirin. Yhtiön mukaan niiden julkaisuaikataulu tulee riippumaan ennen kaikkea markkinoiden kysynnästä, tarkentamatta asiaa sen kummemmin.

Lähde: Samsung

This site uses XenWord.