Samsung aloitti piirituotannon 3 nanometrin GAAFET-valmistusprosessilla
Vuosia sitten evällä varustetut FinFET-transistorit korvasivat markkinoilla planaariset ”2D-transistorit”, nyt on FinFETin vuoro väistyä nanokanaviin ja -liuskoihin perustuvien Gate All Around -transistorien tieltä.