Vuosia sitten evällä varustetut FinFET-transistorit korvasivat markkinoilla planaariset "2D-transistorit", nyt on FinFETin vuoro väistyä nanokanaviin ja -liuskoihin perustuvien Gate All Around -transistorien tieltä.

Maailman johtaviin puolijohdevalmistajiin lukeutuva Samsung on ilmoittanut merkittävästä uudesta edistysaskeleesta valmistusprosessiensa saralla. Yhtiö on aloittanut piirituotannon maailman ensimmäisellä GAA-transistoreja käyttävällä valmistusprosessilla.

Samsungin 3 nanometrin prosessi on maailman ensimmäinen GAA- eli Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET) -tyyppisiä Gate All Around -transistoreja käyttävä valmistusprosessi. Siinä missä perinteisissä transistoreissa kanava kulkee hilan alitse, FinFET-transistorit nostivat kanavan pystyyn ikään kuin eväksi, joka läpäisee hilan. GAAFET-transistorit voivat perustua joko useaan päällekkäiseen nanokanavaan, tai kuten Samsungin uudessa prosessissa useaan päällekkäiseen, nanokanavia leveämpiin nanoliuskanaviin.

Virallisten lukujen mukaan uusi 3 nm:n prosessi lupaa tarjota 45 % pienempää tehonkulutusta, 23 % parempaa suorituskykyä ja 16 % pienempää pinta-alaa yhtiön 5 nanometrin prosessiin verrattuna. Lisäksi yhtiö kehaisee jo nyt toisen skupolven 3 nm:n prosessin parantavan lukuja vielä entisestään: 50 % pienempää tehonkulutusta, 30 % parempaa suorituskykyä ja 35 % pienempää pinta-alaa, edelleen 5 nm:iin verrattuna.

Lähde: Samsung

This site uses XenWord.