Vuoden jälkimmäisellä puoliskolla edullisemman hintaluokan laitteissa markkinoille saapuvat piirit valmistetaan 12 tai 14 nanometrin viivanleveydellä.

Qualcomm esitteli eilen kolme uutta Snapdragon-järjestelmäpiiriä, jotka tarjoavat entistä parempaa suorituskykyä, akunkestoa ja monipuolisempia ominaisuuksia mm. tekoälyn osalta edullisempien hintaluokkien älypuhelimiin.

Kolmikon suorituskykyisin vaihtoehto on Snapdragon 632, jonka kerrotaan tarvoavan 40 % prosessorisuorituskykyparannuksen ja 10 % grafiikkasuorituskykyparannuksen Snapdragon 626 -piiriin nähden. 14 nanometrin FinFET-prosessilla valmistettava Snapdragon 632 sisältää kahdeksan Kryo 250 -prosessoriydintä, joista neljä ovat ns. suorituskyky-ytimiä ja neljä vähävirtaisia ytimiä. Grafiikkasuorittimena toimii Adreno 506, joka on tuttu myös Snapdragon 626-, 625- ja 450-piireistä. Kamerapuolella piiri tukee jopa 24 megapikselin yksittäiskameraa tai 13 megapikselin kaksoiskamera sekä 4K-videotallennusta. LTE-modeemina piirissä on X9, joka pystyy tarjoamaan 300 Mbit/s latausnopeuden ja 150 Mbit/s lähetysnopeuden.

12 nanometrin FinFET-prosessilla valmistettava Snapdragon 439 on seuraaja Snapdragon 430 -piirille ja sen kerrotaan tarjoavan 25 % parannuksen prosessorin ja 20 % parannuksen grafiikkasuorittimen osalta. Piiri rakentuu kahdeksasta Cortex-A53-prosessoriytimestä, Adreno 505 GPU:sta, Hexagon 536 DSP:stä sekä X6 LTE-modeemista, joka tukee Cat.6-luokan nopeuksia (150/75 Mbit/s). Tuettuina ovat myös mm. Quick Charge 3.0 -pikalataus sekä Bluetooth 5.0.

Snapdragon 429 (12 nm FinFET) on puolestaan seuraaja Snapdragon 425 -mallille ja suorituskykyparannusta luvataan olevan tarjolla 25 % prosessorin osalta ja jopa 50 % grafiikkasuorituskyvyn saralla. Piiri sisältää neljä Cortex-A53-prosessoriydintä, Adreno 504 GPU:n, Hexagon 536 DSP:n sekä X6 LTE -modeemin.

Uudet Snapdragon 632-, 439- ja 429 -piirit nähdään kuluttajatuotteissa kuluvan vuoden jälkimmäisen puoliskon aikana.

Lähde: Qualcomm (1)(2), Anandtech

This site uses XenWord.