Samsungin mukaan muistit ovat käyneet läpi JEDECin standardoinnin jo kuluvan vuoden alkupuoliskolla, mutta markkinoille tulon aikataulusta ei ole vielä tarkempaa tietoa.

Samsung on julkaissut uuden muististandardin, joka kykenee tarjoamaan liki HBM2E:n veroista kaistaa verrattain perinteisillä muistisiruilla ja maltillisemmalla väylällä. Uudet GDDR6W-muistit ovat käyneet kaikessa hiljaisuudessa läpi jo JEDEC-standardoinnin, mutta tarkkaa tietoa sen markkinoille tulosta ei vielä ole. Näytönohjainvalmistajien kerrotaan kuitenkin olevan vahvasti mukana ja muistipiirien sopivan niin kannettaviin kuin vaikka tekoäly- tai HPC-piireihin.

GDDR6W-muistit perustuvat nimensä mukaisesti tuttuun GDDR6-teknologiaan, mutta eroja löytyy paitsi muistiväylän leveydestä, myös piirien sisältä. Siinä missä nykyiset GDDR6-piirit rakentuvat yhdessä paketoinnissa kahdesta samalla piirilevylle asennetusta muistisirusta, on GDDR6W-muisteissa yhteensä neljä muistisirua eikä lainkaan piirilevyä. Kaksinkertainen määrä muistisiruja kasvattaa myös muistipiirien kapasiteetin kaksinkertaiseksi, eli nykyisestä 16 gigabitistä 32 gigabittiin.

Nykyiset GDDR6-muistit on varustettu kahdella 16-bittisellä eli yhteensä 32-bittisellä muistiväylällä, mikä muistisirujen kaksinkertaistumisen myötä on nyt kasvatettu 64-bittiseksi. Oletettavasti se rakentuu neljästä erillisestä 16-bittisestä kanavasta, mutta tästä ei ole vielä varmuutta.

Vaikka sirut muistipiirin sisällä ovat nyt kahdessa kerroksessa on koko muistipiiri jopa aiempaa matalampi, kiitos poistetun piirilevyn. GDDR6-muistien korkeus on 1,1 mm, kun GDDR6W-muistit ovat 0,7 mm korkeita. Muilta mitoiltaan piirit ovat identtisiä, mikä helpottaa niiden integrointia tuotteisiin.

GDDR6W-muistit hyödyntävät FOWLP- eli Fan-Out Wafer-Level Packaging -teknologiaa ja 3D-paketointia. Piirin sisällä neljä muistisirua on pinottu kahteen kerrokseen ja piirilevyt on korvattu piipohjaisilla RDL-väylillä (Re-Distribution Layer). Ylemmän kerroksen RDL on yhteydessä alempaan kuparipalkeilla.

Piirit toimivat tässä vaiheessa 22 Gbps:n nopeudella, eli ne ovat lähes yhtä nopeita kuin nykyiset GDDR6-muistit. Yhdistettynä leveämpään väylään se mahdollistaa lähes HBM2E:n veroisen kaistan perinteisin piirein ja verrattain maltillisin väylin. Samsungin esimerkissä 512-bittisen väylän jatkeena olevat kahdeksan GDDR6W-muistipiiriä tarjoavat 1,4 Tt/s kaistaa, kun HBM2E yltää neljän muistipinon 4096-bittisellä väylällä ja 3,2 Gbps:n nopeudella 1,6 Tt/s kaistaan.

Lähde: Samsung

This site uses XenWord.