Muistimaailmaan on tullut harvakseltaan varsinaisesti uusia, merkittävästi aiemmista toteutuksista fyysisesti poikkeavia ratkaisuja. Viimeisin paremmin tunnettu lienee nyt jo 3E-versioon ehtinyt HBM, jossa on pinottu useita muistipiirejä päällekkäin TSV-läpivientien kera.
Koreasta kantautuvien tietojen mukaan SK Hynixillä on nyt työn alla seuraava aidosti uusi tulokas, FOWLP- eli Fan-out Wafer Level Packaking -2,5D-paketointia hyödyntävä muisti. Käytännössä paketointiteknologia mahdollistaisi kaksi rinnakkaista muistisirua ilman erillistä yhdistävää kerrosta alapuolellaan. Vastaavaa teknologiaa on käytetty aiemmin muiden 2.5D-piirien yhteydessä.
Toistaiseksi uusista muisteista ei tiedetä paljoa, mutta esimerkiksi uutisen BusinessKoreasta löytänyt Tom’s Hardware uskoo muistien tulevan tarjoamaan vähintään 128-bittisen väylän, ellei jopa leveämmän. Nykyiset muistit ovat tyypillisesti 32- tai 64-bittisten väylien päässä, tai HBM:n tapaan erittäin leveän 1024-bittisen väylän päässä.
Suurimmaksi syyksi uuden muistityypin kehittämiseksi kerrotaan valmistuskulujen leikkaamishalut. Ilman kalliita TSV-läpivientejä tai interposer-tyyppisiä kerroksia pärjäävät FOWLP-paketoidut muistit voisivat tarjota nykyistä leveämmät ja nopeammat muistiväylät selvästi HBM:ää edullisempaan hintaan.
Lähde: Tom’s Hardware
Lähetä palautetta / raportoi kirjoitusvirheestä
Keskustele aiheesta forumilla