SK Hynix kutsuu muistejaan 4D NAND -muisteiksi niiden käyttämän PUC-teknologian vuoksi, vaikka markkinoilta löytyy vastaavaa teknologiaa käyttäviä 3D NAND -muistejakin.

SK Hynix on ilmoittanut aloittaneensa maailman ensimmäisten 128-kerroksisten NAND-muistien valmistuksen. Yhtiö kutsuu muistejaan 4D NAND -muisteiksi niiden käyttämän Periphery Under Circuit -teknologian vuoksi, jossa piirin oheislogiikka on sijoitettu muistisolujen alle eikä rinnalle, kuten useimmissa 3D NAND -ratkaisuissa.

SK Hynixin ensimmäiset 128-kerroksiset NAND-muistit tarjoavat teratavun kapasiteetin TLC-tyyppisten (Triple-Level Cell) solujen avulla. TLC-soluissa kuhunkin soluun tallennetaan 3 bittiä tietoa. Kyseessä on samalla ensimmäinen markkinoille saatava terabitin TLC-tyyppinen NAND-siru. Aiemmin terabitin kapasiteettiin yhdellä sirulla on ylletty 4-bittiä per solu tallentavilla QLC-tyyppisillä (Quad-Level Cell) soluilla.

Uusien muistisirujen I/O-väylän kerrotaan kykenevän 1400 Mbps:n siirtonopeuksiin 1,2 voltin käyttöjännitteellä. Siruja aletaan toimittaa varsinaisten tuotteiden valmistajille kuluvan vuoden jälkimmäisen puoliskon aikana. Lisäksi yhtiö aikoo aloittaa omaan ohjainpiiriinsä ja 128-kerroksisiin NAND-siruihin perustuvien 2 teratavun SSD-asemien valmistuksen ensi vuoden ensimmäisellä puoliskolla. Seuraavaksi yhtiö keskittyy 176-kerroksisten NAND-muistien kehittämiseen.

Lähde: SK Hynix

This site uses XenWord.