SK Hynix aloitti maailman ensimmäisten yli 300-kerroksisten NAND-piirien tuotannon
Uusien piirien kehutaan tarjoavan 12 % parempaa suorituskykyä, 13 % parempaa lukunopeutta ja 10 % parempaa energiatehokkuutta lukuoperaatioissa nykyisiin 238-kerroksisiin piireihin verrattuna.
SK hynix esitteli uuden Zoned UFS 4.0 -NAND-standardin mobiililaitteisiin
Uusien Zoned UFS- eli ZUFS-muistien luvataan olevan paitsi nopeampia, myös kestävän jopa 40 % perinteisiä UFS-muisteja pidempään.
Samsung julkaisi 9. sukupolven TLC V-NAND-piirit
Samsungin mukaan sen uuden sukupolven Flash-piirit tarjoavat jopa 50 % parempaa tiheyttä, 33 % parempaa nopeutta ja 10 % pienempää tehonkulutusta viime sukupolveen verrattuna.
Tom’s Hardware: Pula nopeista NAND-piireistä hidastaa PCIe 5.0 SSD-asemia
Tom’s Hardwaren mukaan 2,4 Gbps:n nopeudella toimivien NAND-piirien saannot ovat vielä niin heikkoja, että kaksi kolmesta PCIe 5.0 SSD:n esitelleestä on joutunut turvautumaan hitaampiin, aseman nopeutta rajoittaviin 1,6 Gbps:n muisteihin.
SK Hynix julkaisi peräti 238-kerroksiset 4D NAND Flash-muistit
SK Hynix kutsuu omia muistejaan 4D NANDeiksi erottuakseen Charge Trap Flash- ja Periphery Under Cell -teknologiaa käyttämättömistä 3D NANDeista.
Micron julkaisi maailman ensimmäiset 232-kerroksiset NAND-muistit
Uudet ennätystiheät TLC-muistit tarjoavat jopa 75 % parempaa luku- ja 100 % parempaa kirjoitusnopeutta yhtiön viime sukupolven 176-kerroksisiin NAND-piireihin verrattuna.
Kioxia esitteli jopa 7 bittiä soluun tallentavaa NAND-muistia
Tällä hetkellä markkinoilla on enimmillään 4 bittiä soluun tallentavia NAND-muisteja, eikä tällä haavaa -196 celsiusasteen vaativia 7 bittiä soluun tallentavia muisteja tarvitse miettiä vielä pitkään aikaan.
NAND Flash täytti 35 vuotta
Flashin taru alkoi 1980, mutta ensimmäiset nykyään kaikkien tuntemat NAND Flashit kehitettiin 1987.
Sk Hynixin ja Intelin väliset kaupat Intelin SSD-liiketoiminnasta käynnistyivät
Sk Hynix on nyt maksanut ensimmäisen 7 miljardin dollarin suuruisen osan kokonaisuudessaan 9 miljardin dollarin kauppasummasta, minkä myötä suuri osa Intelin SSD-toiminnasta on nyt vaihtanut omistajaa.
X-NAND-teknologia lupaa SLC-luokan suorituskykyä QLC:n kapasiteetilla ja hinnalla
X-NAND-teknologian nopeuden salaisuus on piirin sisäisen rinnakkaisuuden kasvattaminen moninkertaiseksi.
Kioxia kasvattaa muistivalmistuskapasiteettiaan kahdella uudella tuotantolaitoksella
Ensimmäinen uusista tuotantolaitoksista on tarkoitus ottaa käyttöön jo reilun vuoden kuluttua keväällä 2022.
SK Hynix julkaisi peräti 176-kerroksiset 4D NAND Flash -muistit
SK Hynixin TLC-soluihin perustuvat 4D NAND -muistit tulevat aluksi saataville 512 gigabitin kapasiteetissa, mutta kehitteillä on myös terabitin sirut.
SK Hynix ostaa Intelin NAND-tuotannon miljardikaupoissa
Kauppojen myötä SK Hynix on kasvamassa NAND-markkinoiden toiseksi suurimmaksi valmistajaksi ohi Kioxian, Western Digitalin ja Micronin.
Intel julkaisee tänä vuonna 144-kerroksiset NAND-muistit ja 2. sukupolven Optane-asemat
Toisen sukupolven Optane-asemien 3D XPoint -muistit ovat vielä Intelin ja Micronin yhdessä kehittämiä, mutta jatkossa Intel kehittää teknologiaa eteenpäin itsenäisesti.
Kiinalainen YMTC julkisti uudet 1,33 terabitin X2-6070 -QLC-NAND-sirut
YMTC:n uusien muistisirujen I/O-nopeudeksi kerrotaan 1,6 Gbps, mikä on valmistajan mukaan maailman nopein lukema tähän mennessä.