SK Hynix julkisti maailman ensimmäisen ”CTF Based 4D NAND” -Flash-muistin

SK Hynix on esitellyt uuden sukupolven NAND Flash -piirejä. Yhtiön mukaan kyseessä ovat maailman ensimmäiset CTF-pohjaiset (Charge Trap Flash) 4D NAND Flash -muistit.

SK Hynixin mukaan yhtiö näki tarpeelliseksi käyttää piireistään uutta ”CTF-based 4D NAND Flash” -nimeä erottuakseen muista 3D NAND -teknologioista, jotka eivät hyödynnä PUC-teknologiaa (Periphery Under Circuit). PUC-teknologiaa hyödyntävissä NAND-piireissä oheislogiikka on sijoitettu itse muistisolujen alle, eikä rinnalle kuten yleensä. Yhtiö ei ole kuitenkaan aivan ensimmäisenä asialla, sillä ainakin Intelin ja Micronin ensimmäiset 3D NAND -muistit käyttivät niin ikään PUC-teknologiaa CMOS under Array -nimellä.

Ensimmäiset 4D NAND -muistit perustuvat TLC-soluihin ja niissä muistisolut on pinottu peräti 96 kerrokseen. Piirien kapasiteetti on 512 Gb eli 64 Gt ja I/O-nopeus 1,2 Gbps per pinni 1,2 voltin jännitteellä. Yhtiön mukaan piirin koko on kutistunut edeltävään 72-kerroksiseen 512 Gb:n 3D NAND -piiriin verrattuna 30 %, jonka lisäksi sille luvataan 30 % korkeampaa kirjoitus- ja 25 % korkeampaa lukusuorituskykyä.

SK Hynix aikoo julkaista yhtiön uusiin 4D NAND -piireihin, omaan ohjainpiiriin ja firmwareen perustuvia SSD-asemia vielä kuluvan vuoden aikana. Kuluttajakäyttöön suunnattujen asemien kapasiteetti tulee olemaan maksimissaan yksi teratavu. Ensi vuonna samoihin piireihin perustuen tullaan julkaisemaan yrityskäyttöön suunnattuja SSD-asemia sekä mobiilikäyttöön suunnattu UFS 3.0 -versio. Myöhemmin ensi vuonna yhtiö aikoo julkaista vielä terabitin versiot siruista sekä TLC- että QLC-soluilla.

Lähde: SK Hynix