Yksi HBM3-muistipino voi tarjota jopa 24 Gt muistia ja 819 Gt/s muistikaistaa.

Tehokkaimmissa näytönohjaimissa ja tekoälypuolellakin käytetään perinteisten muistien sijasta erittäin leveää väylää ja useasta muistisirusta rakentuvia HBM-muisteja. High Bandwidth Memory -muistit saapuivat kuluttajien nähtäville alun perin vuonna 2015 AMD:n Radeon R9 Fury -sarjan näytönohjaimissa ja nyt mennään HBM2E:ksi ristityssä kolmannessa HBM-sukupolvessa.

SK Hynix on nyt ilmoittanut kehittäneensä ensimmäisenä valmistajana toimivan HBM3-muistin. Yhtiö oli asialla ensimmäisenä myös ensimmäisen sukupolven HBM-muisteissa. 4. sukupolven HBM-muistit noudattavat tuttua kaavaa pinottuine muistisiruineen ja leveine väylineen, mutta nostavat sekä kapasiteetin että kaistan uusille luvuille.

SK Hynixin HBM3-muisteissa käytetään enimmillään 12-kerroksisia muistipinoja. Yhtiö kehuu insinööriensä hioneen muistisirut vaivaisen 30 µm:n paksuisiksi, eli kolmannekseen normaalin paperiarkin paksuudesta. 8 tai 12 muistipiiriä pinotaan yhteen ja yhdistetään TSV-läpivienneillä (Through Silicon Via).

Yksi HBM3-muistipino tuottaa parhaimmillaan 819 Gt/s muistikaistaa, eli jopa 78 % enemmän kuin HBM2E-muistit. Muistipinojen maksimikapasiteetti on kasvanut 24 gigatavuun kiitos enimmillään 12-kerroksisen rakenteen, kun aiemmat HBM-versiot ovat olleet korkeimmillaan 8-kerroksisia.

Yhtiö uskoo HBM3-muistien tulevan käyttöön pääasiassa HPC-datakeskuksissa (High Performance Computing), koneoppimisalustoilla sekä supertietokoneissa.

Lähde: SK Hynix

This site uses XenWord.