Samsung aloitti tuotannon 7 nanometrin EUV-valmistusprosessilla
Samsungin mukaan 7 nanometrin EUV-valmistusprosessi tarjoaa parhaimmillaan 40 % paremman transistoritiheyden ja 20 % paremman suorituskyvyn tai 50 % pienemmän tehonkulutuksen 10 nanometriin nähden.