Samsungin mukaan 7 nanometrin EUV-valmistusprosessi tarjoaa parhaimmillaan 40 % paremman transistoritiheyden ja 20 % paremman suorituskyvyn tai 50 % pienemmän tehonkulutuksen 10 nanometriin nähden.

Merkittäviä puolijohdevalmistajia on käytännössä jäljellä neljä, GlobalFoundries, Intel, Samsung ja TSMC. Näistä ensin mainittu on ilmoittanut jo jättäytyvänsä kilvasta ja lopettaneensa 7 nanometrin kehitystyön, kun viimeiseksi mainittu on ehtinyt jo paljastaa saaneensa ensimmäiset EUV-litografiaa (Extreme UltraViolet) hyödyntävät toisen sukupolven 7 nanometrin asiakaspiirit tuotantokuntoon.

Samsungin vastausta TSMC:n 7 nanometrin EUV-prosessiin ei tarvinnut odottaa kauan, sillä yhtiö on nyt kertonut aloittaneensa tuotannon uudella prosessillaan. Tässä vaiheessa puhutaan kuitenkin luonnollisesti vielä riskituotannosta. Ensimmäisenä EUV-teknologiaa hyödynnetään yhtiön S3 Fab -tuotantolaitoksessa Hwaseongissa Etelä-Koreassa.

Samsungin uusi prosessi kantaa virallisesti nimeä ”7-nanometer Low Power Plus with Extreme Ultraviolet Litography”, mutta lyhyemmin sen nimi on yksinkertaisesti 7LPP. Yhtiön mukaan prosessi mahdollistaa 40 % korkeamman transistoritiheyden ja joko 20 % korkeamman suorituskyvyn tai 50 % pienemmän tehonkulutuksen verrattuna ilmeisesti yhtiön 10 nanometrin prosessiin.

Lähde: Samsung

This site uses XenWord.