TSMC:n tiedetään tuottaneen ensimmäiset 7 nm:n EUV-prosessia käyttävät piirit jo viime lokakuussa, mutta siitä huolimatta yhtiö on aikataulussaan jäljessä Samsungia, joka aloitti viime vuonna massatuotannon 7 nm:n EUV-prosessilla.

Kilpailuun puolijohdevalmistuksen kuninkuudesta osallistuu enää kolme kilpailijaa: Intel, Samsung ja TSMC. Intel on paininut viime vuodet 10 nanometrin prosessinsa ongelmien parissa, mutta Samsung ja TSMC valmistavat kumpikin täyttä häkää piirejä vastaavilla 7 nanometrin prosesseillaan.

Sekä Samsungin että TSMC:n ensimmäiset 7 nm:n valmistusprosessit käyttävät perinteistä DUF-litografiaa (Deep UltraViolet). Viime lokakuussa TSMC ilmoitti valmistaneensa ensimmäisen piirin toisen sukupolven 7 nm:n valmistusprosessillaan, jossa osa kerroksista hyödyntää uutta EUV-litografiaa (Extreme UltraViolet). Samsung nokitti vielä saman kuun aikana toteamalla yhtiön aloittaneen massatuotannon omalla 7 nanometrin EUV-litografiaa hyödyntävällä valmistusprosessillaan. EUV-litografia mahdollistaa 13,5 nanometrin aallonpituudellaan selvästi pienemmät yksityiskohdat, kuin 193 nm:n aallonpituuden laseria hyödyntävä litografia.

DigiTimesin lähteiden mukaan myös TSMC valmistautuu parhaillaan 7 nm:n EUV-prosessin massatuotantoon. Sivuston lähteiden mukaan yhtiön pitäisi saada massatuotanto käyntiin tulevan maaliskuun aikana. Samassa yhteydessä yhtiön kerrotaan aloittavan riskituotannon 5 nm:n EUV-prosessilla saman kuun aikana. Aiemmin yhtiö suunnitteli 5 nm:n EUV-prosessin riskituotantoa huhtikuulle. TSMC ei ole toistaiseksi kommentoinut ketkä sen asiakkaista ovat siirtymässä EUV-prosessin käyttöön tai millä aikataululla se tapahtuu.

Päivitys:

Toisin kuin uutisessa aiemmin mainittiin, Samsungilla myös ensimmäisen sukupolven 7 nm:n valmistusprosessi hyödynsi EUV:tä.

Lähde: DigiTimes

This site uses XenWord.