Kilpailuun puolijohdevalmistuksen kuninkuudesta osallistuu enää kolme kilpailijaa: Intel, Samsung ja TSMC. Intel on paininut viime vuodet 10 nanometrin prosessinsa ongelmien parissa, mutta Samsung ja TSMC valmistavat kumpikin täyttä häkää piirejä vastaavilla 7 nanometrin prosesseillaan.
Sekä Samsungin että TSMC:n ensimmäiset 7 nm:n valmistusprosessit käyttävät perinteistä DUF-litografiaa (Deep UltraViolet). Viime lokakuussa TSMC ilmoitti valmistaneensa ensimmäisen piirin toisen sukupolven 7 nm:n valmistusprosessillaan, jossa osa kerroksista hyödyntää uutta EUV-litografiaa (Extreme UltraViolet). Samsung nokitti vielä saman kuun aikana toteamalla yhtiön aloittaneen massatuotannon omalla 7 nanometrin EUV-litografiaa hyödyntävällä valmistusprosessillaan. EUV-litografia mahdollistaa 13,5 nanometrin aallonpituudellaan selvästi pienemmät yksityiskohdat, kuin 193 nm:n aallonpituuden laseria hyödyntävä litografia.
DigiTimesin lähteiden mukaan myös TSMC valmistautuu parhaillaan 7 nm:n EUV-prosessin massatuotantoon. Sivuston lähteiden mukaan yhtiön pitäisi saada massatuotanto käyntiin tulevan maaliskuun aikana. Samassa yhteydessä yhtiön kerrotaan aloittavan riskituotannon 5 nm:n EUV-prosessilla saman kuun aikana. Aiemmin yhtiö suunnitteli 5 nm:n EUV-prosessin riskituotantoa huhtikuulle. TSMC ei ole toistaiseksi kommentoinut ketkä sen asiakkaista ovat siirtymässä EUV-prosessin käyttöön tai millä aikataululla se tapahtuu.
Päivitys:
Toisin kuin uutisessa aiemmin mainittiin, Samsungilla myös ensimmäisen sukupolven 7 nm:n valmistusprosessi hyödynsi EUV:tä.
Lähde: DigiTimes
Aika nopealla aikataululla etenee TSMC:n prosessit. Tarkoittaakohan tämä sitä, että AMD:llä tulee olemaan kilpailuetu Inteliin nähden odotettua pidempään?
Osaako @hkultala kertoa tarkemmin paljonko seuraava "5 nm" prosessi pienentää piirejä ja kuinka lähellä ko. "5 nm" prosessi oikeasti on 5 nanometrin prosessia?
Wikichipin mukaan CPP olisi 44nm ja MMP 32nm. Näiden kertolaskusta saadaan 1408 nm^2 joka on käytännössä pienin mahdollinen transistorin koko mikä tuolla voidaan valmistaa.
Vastaavat luvut TSMCn "7nm" prosessilla on 54nm ja 40nm, näiden kertolaskusta saadaan 2160nm^2
5 nm lithography process – WikiChip
7 nm lithography process – WikiChip
Eli transistoritiheyden voi olettaa olevan n. 1.53-kertainen "7nm" prosessiin verrattuna pienten logiikkatransistorien osalta. Toki on mahdollista, että tämän yhteydessä on tehty muita optimointeja, joiden avulla voidaan päästä vielä hiukan parempaan käytännön logiikkatiheyteen. Toisaalta on vastaavasti myös mahdollista, että yhä suurempaa osaa tyypillisten piirien logiikasta ei voida toteuttaa pienimmillä prosessin tarjoamilla transistoreilla.
Eli taas on selvää deflaatiota prosessin nimessä, nimen mukaan tiheyden pitäisi tuplaantua ja odotettavissa vain vähän yli 1.5-kertainen parannus-
Todelliset pienimmät yksityiskohdat mitä tällä saadaan aikaan on karkeasti ottaen n. 15nm luokkaa (32 nm MMP tarkoittaa, että sillä pystytään tekemään joko 16nm leveä johto, tai 16nm leveä johtoväli, eli pystytään varmuudella tekemään jotain 16-nanometristä). Tasaisesti on viime aikoina tämä deflaatio edennyt, "7nm" prosessin pienimmät yksityiskohdat oli n. 20nm luokkaa, ja "16nm" ja "20nm" prosesien pienimmät yksityiskohdat 30nm luokkaa.
Todennäköisesti tämä 7nm on vielä sisäänajovaiheen tuote ja tulee vielä refresh versio jossa paremmin hyödynnetään 7nm tekniikkaa.
En usko että tulee lähiaikoina 5nm tekniikka käyttöön ainakaa työpöytä prosessoreissa, hommahan vaikeutuu lähes logaritmisesti.
Eiköhän nuo 5nm jutut ole sijoittaijia varten keksitty. Tosin eipä olisi mahdotonta että esim Apple haluaisi alkaa jo niitä testaamaan.
Uutiseen semmoinen korjaus, että Samsungilla on EUV ollut käytössä 7 nm valmistusprosessissa alusta alkaen.
Aiemmin on uutisoitu, että HiSilicon (Huawei) olisi TSMC:n päivitetyn 7 nm prosessin ensimmäinen asiakas ja valmistettava piiri Kirin 980 seuraaja.
TSMC:n 5 nm valmistusprosessin parannukset muuten rajoittuvat lähestulkoon pelkästään transistoritiheyden kasvamiseen, joten saa nähdä jääkö harvojen käyttämäksi kuten yhtiön 20 nm ja 10 nm.
Jaahas, muistelin että heilläkin oli ensin 7nm pelkällä DUVllä mutta ilmeisesti lyhyt mutta huono muisti petti tässä kohtaa
Tämä 7nm EUV on se, jolla Nvidian seuraavan sukupolven prossat ilmeisimmin valmistetaan. Mitähän amd tekee navien osalta? Alunperin piti olla ”perinteisellä 7nm” versiolla. Mutta jos julkaisu viivästyy syksyyn niin olisivatko pistäneet sunnitelmat uusiksi… hmmm… mutta aika epätavallista olisi vaihtaa prosessia näin myöhäisessä vaiheessa tuotantoa. Nvidian seuraavaa odotellaan kuitenkin vasta ensi vuodenvaihteessa tai alku 2020 huitteilla. Joten sen suhteen aikaa on enemmän.
Oliko Samsungin 7LPE ikinä tuotantokäytössä? Lukaisin vielä tuon Samsungin 7LPP:n pressin missä annettiin vahvasti kuva että kyse on ensimmäisestä EUV-tuotannosta