Intel esitteli yhdessä Micronin kanssa kehittämänsä 3D Xpoint- eli Optane-teknologian alun perin jo vuonna 2015. Kuluttajien käsiin Optane saapui keväällä Optane Memory -välimuistiasemien muodossa ja nyt syksyllä markkinoille saatiin myös Optane-SSD-asemat.
Viimeinen pala 3D XPoint -palapelistä on DIMM-muistipaikkoihin sopivat muistit. Intel varmisti UBS Global Technology Conference -tapahtumassa, että 3D XPoint -teknologiaan perustuvat DIMM-muistimoduulit ovat edelleen aikataulussaan ja saapuvat markkinoille ensi vuoden jälkimmäisellä puoliskolla. Muista samaan teknologiaan perustuvista tuotteista poiketen yhtiö ei käyttänyt dioissaan tulevista muisteista Optane-nimeä ainakaan vielä tässä vaiheessa, vaan kutsui muisteja alustavasti nimellä Intel Persistent Memory based on 3D XPoint.
Intelin 3D XPoint -DIMM-moduulit tulevat olemaan yhteensopivia sekä fyysisesti että sähköisesti nykyisten DDR4-DIMM-muistipaikkojen kanssa, mutta ne vaativat tuekseen Intelin oman väylän, mikä rajoittaa yhteensopivuuden vain Intelin valitsemille prosessoreille ja emolevyille. Yhtiö on varmistanut jo aiemmin, että sen nykyiset alustat eivät tule tukemaan tulevia 3D XPoint -muisteja, vaan tuki saapuu ensimmäisenä seuraavan sukupolven Cascade Lake -koodinimelliselle Xeon Scalable -alustalle.
Lähde: Intel, Tom’s Hardware
”Intelin 3D XPoint -DIMM-moduulit tulevat olemaan yhteensopivia sekä fyysisesti että sähköisesti nykyisten DDR4-DIMM-muistipaikkojen kanssa, mutta ne vaativat tuekseen Intelin oman väylän, mikä rajoittaa yhteensopivuuden vain Intelin valitsemille prosessoreille ja emolevyille.”
Eli ei jatkoon!
Eihän ne siis ole enää DDR4:sa jos vaativat erikoistuen toimiakseen.
Tää on Inteliltä yritystä lukittaa kuluttajia heidän omiin viritelmiin, seuraava vaihe on sitten tiputtaa tuki normi muisteilta pois ja vaatia Intelin omien romujen käyttämistä sepä SSD että muistipuolella. Ei jatkoon.
Niin siis varmaan tarkoittaa että emoissa edelleen toimii myös DDR4 muistot mutta myös nuo heidän omat romunsa.
Sama slotti emolla tulee käymään kummallekin mutta nämä toimivat vain niissä emoissa missä on tuki näille (tai näin asian olen käsittänyt)
semiaccurate otti ilon irti tuosta ”launch on track” heitosta. Aika katastrofi tuo 3dXpoint ollut intelille, kun luvatut nopeuslisät ei ole alkuunkaan pitäneet. Ajattelin tuohon pohjautuvia pcie kortteja hankkia, mutta taitaa rahoilleen saavan paremmin vastinetta kun pistää raid0:n sampan m.2:ia. Aika kova hype oli tekniikasta mikä ei tuonut oikein mitään.
Mikähän tällaisen tuotteen potentiaalinen käyttöskeenaario on?
Näillä hinnoilla tuskin säästöjä tulee verrattuna oikeisiin DDR4 palikoihin, jotka ovat kuitenkin nopeampia.
Eikös jo PCIE väylässäkin tuon teknologian pullonkaulaksi tule kuitenkin itse muisti eikä väylä? (ainakin tällä hetkellä)
Tietysti jos ei täytä kaikkia muistipaikkoja, mutta toisaalta silloin varmaan raha on esteenä, joten tuskin näitä käärmeöljymuisteja silloin edes harkitsee.
Eiköhän vaikka teratavu verrattain nopeaa optanemuistia tule irtoamaan aika tavalla edullisemmin kuin ddr4ää sama määrä, puhumattakaan montako kampaa siihen tarvitaan
Kuluttajamarkkinoille piisaa taatusti optane-ssdt
Varmasti on halvempi juu, mutta eikö tuossakin tilanteessa sen optanemuistin voisi silloin laittaa PCIE väylään kiinni? (Vie sitten kyllä sen yhden PCIE paikan.)
Pohdin sitä, että mitä etua tuosta on että käytetään DDR-väylässä. Muistin viiveet kuitenkin varmasti dominoi siinäkin tapauksessa, että päästäisiin tuonne Intellin hehkuttamiin muutaman mikrosekunnin viiveisiin. Ymmärtääkseni Pcie väylässä olevat laitteet ovat yhtä lailla MMIO-laitteita, siinä missä keskusmuistikin.
Eli jos prosessori näkee muistin yhtä kaukaa (pitkällä viiveellä), niin eihän tässä ideassa ole muuta uutta kuin liitäntämahdollisuus?
Tietysti siinä tapauksessa, ettei PCIE paikkoja voida uhrata muistille, on nyt mahdollisuus laittaa levy DDR-paikkaan.
Ei.
PCIe on aivan liian hidas väylä, erityisesti välimuistilinjan kokoisille datansiirroille. Suoraan osoitettavan muistin laittaminen pcie-linjan taakse tekisi siitä hyvin hidasta, vaikka itse muistityyppi olisi nopeaa.
Noilla DIMMeillä on käsittääkseni DRAM-muistia välimuistina tuolle xpointille, jolloin se keskimäärinen viive on hyvin pieni, kun suurin osa accesseista osuus siihen DRAMiin.
Ja lisäksi sekoitat nyt väylän aiheuttamat viiveet ja muistityypin aiheuttamat viiveet. Se pcie myös käytännössä moninkertaistaisi ne viiveet johtuen siitä väyläprotokollastaan, joka on optimoitu pitkille kilotavuluokan purskesiirroille(joita esim. levy-io usein tekee), eikä lyhyille 64 tavun välimuistilohkon kokoisille siirroille (joita CPUn suora muistin osoittaminen tekee)
Jossisi ei toteudu. DDR4-väylä on ziljoona kertaa nopeampi väylä, sekä kaistaltaan että viiveiltään kuin pcie.
Miten niin ei ole pitäneet?
Mikään RAID0 ei auta yhtään viiveisiin, jotka xpointilla on paljon alhaisempia kuin NAND-flashillä. Ja yleensä ne pullonkaulat on normikäytössä käytännössä aina viiveissä, ei kaistassa.
Ja siitä kaistasta: Vaikka sitä tarvisi lisää, kaistan takia ei ole juurikaan järkeä laittaa pieniä flashi"levyjä" RAID0aan kun saman kaistan saa sillä että ostaa vaan isomman flashi"levyn" joka sisäisesti sisältää tuplamäärän piirejä ja tuplasti leveämmän kokonaiskaistan niihin piireihin.
Luotettavuus yhdellä isommalla levyllä kuitenkin selvästi parempi kuin kahdella pienemmällä RAID0ssa.
Ihmisten on varmaan vaikea ymmärtää sitä miltä jonkun backend-tietokannan writet toimivat jos ne halutaan tehdä ACID:ia noudattaen. Ei sitä normaalissa softan käytössä tarvitse miettiä lainkaan, mutta joissain käyttökohteissa käytetään nykyisin ihan tolkuttomasti rahaa siihen, että tehdään asioita jollain eksoottisilla ratkaisuilla kun muilla tavoilla sitä tarvittua suorituskykyä ei ole mahdollista toteuttaa.
Erikoishardis maksaa paljon ja on ihan mahdollista että näissä käyttökohteissa kustannukset voivat laskea merkittävästi jos muutamilla tonneilla saa optanet dimm-slotteihin joka tuottaa saman suorituskyvyn kuin joku satojen tuhansien eurojen SAN.
Edullisemmin se kyllä irtoaa. Optanen kirjoituskestävyys on kuitenkin niin surkea ettei se kovin kauaa kestä vastavaa rääkkiä mitä keskusmuistille laitetaan normaalissakaan käytössä. Senhän "piti" olla 1000 kertaa kestävämpää kuin Flashin. Eipä ole ja siksi Optane on floppi jo nyt.
Kaipa joitakin marginaalitapauksia löytyy joissa Optane DIMM:lle voi olla käyttöä, eli tapauksia joissa tarvitaan paljon muistia, joka voi olla hidasta ja jolle ei paljoa kirjoiteta.
Jotain lähteitä näille väitteille?
Oletko esim. kuullut yhdestäkään tapauksesta jossa xpoint-pohjainen optane-ssd olisi käytössä hajonnut kirjoituskertojen loppumiseen?
Vai jälleen kerran täysin mutulla dissaat inteliä ilman mitään toimivia perusteita väittelillesi?
Lähde väitteelle 1000 kertaisesta kestävyydestä (ja vähän muustakin). Löytyy hyvin helposti googlella btw:
Kirjoitin DIMM:sta, en SSD:sta, hieman eri asioita kirjoituskestävyyden suhteen :think:
Optanen kanssa kävi vähän kuten Itanicin kanssa. Paljon puhetta ja hypeä jolle hyvin vähän katetta. Intel ansaitsee dissausta koska tuli luvattua sellaiset muutama sata kertaisesti liikaa :hammer:
En kaivannut lähteitä Intelin väitteille siitä mihin xpointiin pitäisi pystyä, ne on ihan julkisesti tiedossa.
Vaan lähteitä noille mutupaskapropagandaväitteillesi siitä ettei muka kestä.
Miten niin eri asioita?
Ja tosiaan on eri asioita vain siihen suuntaan, että se DIMM on HELPOMPI tehdä kestämään, kun siellä DIMMillä voidaan pitää DRAM-pohjaista välimuistia, johon kaikki kirjoitukset ensin osuu. Ja sitten kun samaan kohtaan kirjoitetaan monta kertaa peräkkäin, vain viimeisin niistä menee sinne xpointille asti.
Tuo sinun väitteesi "tuli luvattua muutama sata kertaisesti liikaa" on sinulta puhdasta paskapuhetta joka ei pidä paikkaansa. Sinä valehtelet ja valehdellessasi syytät Inteliä valehtelusta/katteettomista lupauksista.
Paljon tosiaan mutupaskaa sinun kaltaisilta intel-vihaajilta.
Eikä mutupaskallesi ole vielä yhtään katetta.
Ja ei, tämä on täysin eri suuruusluokan juttu kuin itanic. Itaniciä hypetettiin n. 10 vuotta ja se pelkällä hypellään tappoi monta prosessoriarkkitehtuuria. Tämä tuli markkinoille n. 2 vuotta julkistuksensa jälkeen eikä tämän ole hypetetty tappavan yhtään mitään.
Se, että vertaat tätä itaniciin kertoo entisestään siitä, kuinka pihalla olet asioista joista puhut.
ps. tämä xPoint ei edes ole oikeasti Intelin vaan Micronin tekniikka. Intel vaan toimii Micronin kumppanina ja tuo ensimmäiset tätä käyttävät tuotteet pihalle. Lopetatko xpointin vihaamisen sillä samalla sekunnilla kun xpoint-muistia laitetaan samalle näyttiskortille AMDn näyttispiirin kanssa, ja muuttuuko se silloin siksi ylivoimaiseksi ominaisuudeksi millä AMD pieksee nVidian?
Intel ja Micron avasivat juuri viikko sitten uuden laajennuksen Utahissa tehtaaseen nimenomaan lisätäkseen xpointin valmistuskapasiteettia.
Yleensä pahasti epäonnistuneiden tuotteiden valmistuskapasiteetteja ei laajennella.
Pistetään nyt vielä lähde:
Intel and Micron Increase 3D XPoint Manufacturing Capacity with IM Flash Fab Expansion | Intel Newsroom
Ihan julkisesti Intel on kertonut Optane SSD levyjen kirjoituskestävyyksiä. Siitä katsomaan.
SSD:lle yleensä tulee huomattavasti vähemmän kirjoituksia kuin keskusmuistiin ymmärrettävistä syistä.
Monilla SSD levyillä on sekä DRAM välimuistia että SLC cachea ja SLC cachen kautta data laitetaan sille varsinaiselle flashille saakka. Ei eroa SSD tapauksesta olennaisesti.
Intelin mutupaskalupauksille on vielä vähemmän katetta.
Onhan tämän mm. hypetetty korvaavan NAND flash pohjaiset SSD:t kokonaan. Näitä kahta voi todellakin verrata siinä mielessä mitä etukäteen luvattiin ja mitä julkistuksessa saatiin. Siinä mielessä tämä 3D Xpoint menee paaaaljon Itanicia kauemmas.
Tiedän oikein hyvin tämän olevan Micronin tekniikkaa, Intel vaan sattuu olemaan kumppanina eikä Micron tässä vaiheessa myy "omia" toteutuksiaan. Jostain syystä Intel mainitaan tämän yhteydessä aika monta kertaa useammin kuin Micron. Eiköhän se AMD:n kortille menevä muisti ole jollakin muulla nimellä mikäli niin ylipäätään koskaan käy :psmoke:
Tuolla logiikalla Itanium ja Pentium 4 olivat todellisia jymymenestyksiä ja Ryzen paha floppi :kahvi:
Katsoin jo, mitä intel lupaa esim. tuolle 16-gigaiselle NVME/M.2-väyläiselle Optane Memorylle kestävyydeksi.
Ja se, mitä Intel niille lupaa on 68.5-kertaisesti se, mitä Samsung lupaa omille NAND-flash-levyilleen.
Ensinnäkin: Milläään laskuopilla 1000/68.5 ei ole "satoja kertoja vähemmän kuin hypetetty". Se olisi vain 15 kertaa vähemmän.
Toisekseen: Kyse on ensimmäisestä kyseistä tekniikka käyttävästä kuluttajatuotteesta. Se, että sen luvataan kestävän "vain jonkin verran" ei voi päätellä että saman tekniikan myöhemmällä paremmalla implementaatiolla toteutettu ammattilaistuote ei voi kestää enempää.
vertailet vaan vääriä asioita keskenään.
Jos siellä DIMM-kammoilla on sitä DRAMia ihan yhtä paljon ja ero on vain se, käytetäänkö sen jatkeena flash-pohjaista muistia swappina vai samalla DIMMillä olevaa xpointtia siten että se DRAMia on välimuistia xPointille, sen xpointin ja flashin kirjoitusmäärässä ei ole oleellista eroa. Tai no, se kirjoitusmäärä xpointille tavuissa mitattuna jää itseasiassa todennäköisesti paljon pienemmäksi koska sen välimuistin linjakoko voi olla paljon pienempi kuin virtuaalimuistin sivukoko ja flashin lohkokoko; Yhden luvun kirjoittamiseksi ei tarvi kirjoittaa 4 kilotavun virtuaalimuistisivua joka johtaa 32 kilotavun flash-lohkon kirjoittamiseen vaan vain tuon välimuistin välimuistilinjan verran, ja välimuistin linjakoko mitataan kymmenissä tai korkeintaan sadoissa tavuissa.
Jolloin se xpoint-pohjainen systeemi onkin se, joka kestää sitä kirjoittamista paljon enemmän.
Käytännössä toki sitä DRAMia sinne DIMMille laitetaan jonkin verran vähemmän, mutta ylivoimaisesti suurin osa accesseista osuu sille.
Säilömuistin käyttöpatternit ovat tosin täysin erilaisia kuin käyttömuistin.
Käyttömuistia luetaan ja kirjoitetaan prosessorin 64 tavun välimuistilinja kerrallaan. Säilömuistiin taas tehdään tyypillisesti kilotavuluokan accesseja, esim. virtuaalimuistisivu jota swapatessa käytetään on x86lla tyypillisesti ja 4 kiB, levyn kirjanpitoblokki on usein luokkaa 32 kiB ja flashin lohkokoko on melko samaa luokkaa. Ja sitä cacheä sillä flash-levyllä tarvitaan ihan siihen, että jos 32 kiB flash-lohkokoon flashillä kirjoitetaan 32 kiB kahdeksassa 4 kiB palassa, se koko 32kiB pitäisi tyhjentää ja kirjoittaa kahdeksaan kertaan että sen kaiken saisi sinne kirjoitettua, jos mitään cacheä ei olisi, ja tähän kuluisi yhden sijasta kahdeksan kirjoitussykliä.
Ja ne SSD-levyjen välimuistit on paljon pienempiä, ja monta saman kokoluokan peräkkäistä välimuistia ei toimi läheskään niin tehokkaasti kuin hierarkia jossa koko kasvaa tasaisen exponentiaalisesti.
Sinulla ei ole mitään todellisia numeroita väitteidesi tueksi, ja ne vähäiset todelliset numerot mitä on saatavilla sanoo ihan muuta kuin ne mutu-numerot mitä heittelet. Sinä vaan automaattisesti intel-vihassasi keksit päästäsi perusteettomia väitteitä, että intel valehtelee, ja valehtelet itse niin tehdessäsi.
Eikä ole. Näiden on hypetetty korvaavan SLC-pohjaiset nopeat ja kalliit NAND-flash-SSDt muttei kaikkia NAND-flash-SSDitä. TLCn on aina sanottu elävän tämän alapuolella.
XPoint on Micronin nimi tälle tekniikalle, Optane on intelin nimi tälle.
Jos joskus tulee AMDn kortille, tullee kyllä ihan xpoint-nimellä.
3D Xpoint on yleisnimitys mitä molemmat käyttävät tälle muistityypille .l käytännössä sama kuin NAND puhuttaessa erivalmistajien flash muisteista. Intelin tuotenimi on Optane ja micronin QuantX.
Samsungin SSD:t eivät ole kovinkaan kirjoituskestäviä. Lisäksi nykyisin SSD:lta haetaan enemmän halpaa hintaa kuin kestävyyttä. Kolmanneksi Optanen GB/euro hinnalla kannattaa katsoa SLC pohjaisia levyjä, jolloin päästään lähelle 100 kertaista eroa.
Lihavoidun otit suoraan Intelin markkinointimateriaalista? Ei ketään kiinnosta vaikka Xpoint pääsisi noihin lupauksiin joskus hamassa tulevaisuudessa. Tuolla logiikalla voi luvata ihan mitä tahansa. Mikäli lupaus ei pidäkään, voidaan sanoa sen koskevan jotain hypoteettista tuotetta joka tulee ulos joskus X vuoden päästä, jos ylipäänsä tulee. Pitihän Netburstilla päästä 10 GHz:n, pääsivät 4 GHz:n.
Se 1000 kertainen nopeus olisi myös hauska nähdä. Intel lupasi liikaa joten dissaus on täysin ansaittua.
Termiä "kirjoitus" on tietenkin vaikea verrata SSD:n ja "keskusmuistin" tapauksessa, koska SSD:lla "kirjoitusta" voi tulla enemmän kuin levylle lähetetään tietoa kirjoitettavaksi ja niin yleensä käykin. Samaten kirjoitusmäärien rajoituksen valmistajat ilmoittavat usein host writesina, itse levylle voi tulla enemmän kirjoitusta ja samalla nuo aiemmat laskut Flashin kestävyydestä menevät uusiksi.
Sekin pitää huomioida ettei SSD:lle todennäköisesti kirjoiteta vastaavalla tavalla kuin muistiin, johon todennäköisemmin tulee pieniä kirjoituksia paljon enemmän. Sitä onkin seuraavassa kappaleessa selitetty.
Tuo DRAM cache ei kovin paljoa auta kirjoituksissa, mikäli sen sisältö säännöllisesti kirjoitetaan myös Xpointille. Mikäli ei kirjoiteta, osa Xpointin eduista menee. Se säästää erityisesti lukemisessa, kirjoituksen suhteen olisin vähän skeptisempi.
Kirjoitusvälimuistia on SSD levyissä tuon takia ollut aina. Nykyisin SLC cachella yritetään peittää hidasta TLC muistia, koska sinne kirjoittaminen suoraan on selvästi hitaampaa kuin esim MLC:lle.
SSD levyjen välimuistikoot kasvavatkin melko exponentiaalisesti. 256/512MB DRAM välimuistia ja SLC (tai MLC SLC moodissa) cachet gigatavuluokassa.
Onko nykyinen 3DXpoint toteutus 1000 kertaa Flashia nopeampi? Hah. Onko 1000 kertaa kestävämpi? Ei lähellekään. Meneekö 10 kertaa pienempään tilaan kuin DRAM? No ei todellakaan mene.
Intelin lupaukset ovat yksinkertaisesti monta kertaluokkaa enemmän kuin mitä saatiin. Siksi ei tässä tarvita mitään ylimääräistä Intel-vihaa. Intel yksinkertaisesti hypetti liikaa eikä pystynyt lupauksiaan toteuttamaan edes vähää alusta.
Vähän sama kun AMD hypettäisi Ryzen 2:n olevan 10 Ryzeniä nopeampi ja sitten se "10 kertaa nopeampi" onkin luokkaa 10-20 prosenttia. Mitähän siitäkin seuraisi :think:
Ehkä ei virallisesti mutta virallisella hypellä saatiin monen mieliin Xpointin olevan korvaaja sekä RAM:lle että flashille.
Totta, tosin Intel tätä pääasiassa on hypettänyt ja ne 1000x väitteetkin tulivat melko suoraan Inteliltä, eikä Micronilta.
Kannattas varmaan käyttää vaikka googlea ennen kuin alkaa väittämään ihan mitä sattuu. Triple M.2 NVMe RAID-0 Testing Proves Latency Reductions – Slashdot
Hmm… ne testit joissa on raidattu pienempiä ssd levyjä vs yksi isompi ovat aika tavalla kyllä osoittaneet, että eipä juuri kannata raidata…
Eli saahan niillä jonkin verran lisää, mutta ei niin paljon että luotettavuudesta kannattaisi luopua.
Paha sitten sanoa mitä optane tuo kun se kehittyy, mutta jos katsoo ensimmäisiä ssd levyjä ja nykyisiä ssd levyjä niin onhan siinä paljon ehtinyt tulla nopeutta lisää, joten eiköhän optanessakin ole vielä viilaamisen varaa.
Nykyiselläänkin optane on jo tietyissä käyttötilanteissa nykyisiä ssd levyjä parempaa, mutta ssd levyäkin kehittyy joten saa Intelillä insinöörit tehdä töitä vielä ihan tosissaan.
Kiva nähdä mitä vauhtia nuo muistikampatyyppiset kulkee, mutta ero ssd tyyppisiin ratkaisuihin on liitäntätavan ja muistihaun tekniikoiden takia jo melkoinen. Wanhahtava liiltäntätekniikka rajoittaa massamuistipuolella jo aika tavalla.
Mutta toivottavasti näihin muisteihin tulee joku vakioitu standardi ennemmin kuin myöhemmin, niin kuluttajatkin voivat ehkä haaveilla näistä joskus.
Intel lupaa "vähän" liikoja, kun tuo asian esiin, saa varoituksen :facepalm:
Hyvä meininki ":tup:"