Sekä Micron 2450 että 3400 luottavat yhtiön omiin 176-kerroksisiin TLC NAND -siruihin, mutta vain 3400:ssa on käytössä sen oma ohjainpiiri.

Parhaiten erilaisten muistipiirien valmistajana tunnettu Micron valmistaa ja myy myös valmiita SSD-asemia. Yhtiö on Computexissa julkaissutkin nyt ensimmäiset PCIe4-väyläiset SSD-asemansa sekä kertonut aloittaneensa muistituotannon uudella 1α-prosessilla.

Micron ei koreile turhilla nimillä, vaan uudet SSD-asemat tottelevat numeroita 3400 ja 2450. Micron 3400 on suunnattu suorituskykyiseen käyttöön ja 2450 edulliseksi jokapaikanhöyläksi. Molemmat asemat tukevat PCI Express 4.0 -väylää ja NVMe 1.4 -protokollaa. Yhtiö varottaa kuitenkin jo etukäteen, että komponenttipulan vuoksi se saattaa turvautua myös kolmansien osapuolten ohjainpiireihin samoissa malleissa. Nyt julkaistut mallit on suunnattu OEM- ja yritysmarkkinoille, mutta vastaavia asemia pitäisi olla luvassa myös yhtiön Crucial-kuluttajabrändillä.

Micron 3400 tulee saataville 512 Gt:n, 1 Tt:n ja 2 Tt:n kapasiteeteissa ja ne on toteutettu yhtiön omilla, viime vuoden loppupuolella esitellyillä maailman ensimmäisillä 176-kerroksisilla TLC-soluihin perustuvilla NAND Flash -muisteilla. Myös ohjainpiiri on yhtiön omaa käsialaa, joskin se varoittaa jo valmiiksi mahdollisuudesta korvata ohjainpiiri kolmansien osapuolten piireillä, mikäli komponenttipula edellyttää sitä. Micron lupaa asemille 300-1200 Tt:n kirjoituskestävyyden kapasiteetista riippuen ja niiden keskimääräinen vikaantumisaika on 2 miljoonaa tuntia.

Asemille luvataan parhaimmillaan 6600 Mt/s:n perättäislukunopeutta ja kirjoitusnopeus riippuu aseman kapasiteetista: 512 Gt:n malli jää 3600 Mt/s tasolle, kun 1 ja 2 Tt:n mallit yltävät 5000 Mt/s:n perättäiskirjoitusnopeuteen. Satunnaislukunopeutta löytyy 512 Gt:n mallilta 360 000 IOPSia, 1 Tt:n mallilta 630 000 IOPSia ja 2 Tt:n mallilta 720 000 IOPSia. Satunnaiskirjoitusnopeus on 700 000 IOPSia kapasiteetista riippumatta.

Micron 2450 tulee puolestaan saataville 256 Gt:n, 512 Gt:n ja 1 Tt:n kapasiteeteissa. Käytössä on isoveljen kanssa samat 176-kerroksiset TLC NAND-sirut. Toistaiseksi ei ole varmaa tietoa, mitä ohjainpiiriä asemat käyttävät, mutta sen tiedetään olevan ilman DRAM-välimuistia. Siinä missä 3400 tulee saataville vain M.2 22×80 -koossa, tulee 2450 saataville lisäksi 22×30- ja 22×42-versioina. Kaikki kolme kapasiteettia ovat saatavilla aseman fyysisestä koosta riippumatta. Asemille luvataan 2 miljoonan tunnin keskimääräinen vikaantumisaika ja 180, 300 tai 600 Tt:n kirjoituskestävyys.

Edullisemmille SSD-asemille Micron lupaa 3600 Mt/s:n perättäislukunopeuden, kun -kirjoitusnopeus on 256 Gt:n mallilla 1600 ja 512 Gt:n sekä 1 Tt:n malleilla 3000 Mt/s. Satunnaislukunopeus on 256 Gt:n mallilla 190 000 IOPSia, 512 Gt:n mallilla 380 000 IOPSia ja 1 Tt:n mallilla 450 000 IOPSia. Satunnaiskirjoitusnopeus on 256 Gt:n mallilla 400 000 IOPSia ja 512 Gt:n sekä 1 Tt:n malleilla 500 000 IOPSia.

Micron on aloittanut lisäksi 1α-prosessilla tuotettujen DDR4- ja LPDDR4X-muistipiirien massatuotannon. Yhtiön mukaan uusi prosessi parantaa LPDDR4X-muistien tiheyttä 40 % ja pienentää piirien tehonkulutusta parhaimmillaan 20 %, kun verrokkina on edeltävällä 1z-prosessilla tuotetut LPDDR4X-muistit. MYhtiön mukaan sen DDR5-standardin yleistymistä tavoitteleva Technology Enablement Program -ohjelma on myös edennyt mallikkaasti ja siihen on liittynyt jo yli 100 alan yritystä.

Lähde: Micron

This site uses XenWord.
;