Uutisoimme viime viikolla Micronin julkaisseen maailman ensimmäiset 232- ja samalla ensimmäiset yli 200-kerroksiset 3D NAND -piirit. Johtaviin muistivalmistajiin lukeutuva SK Hynix ei ole levännyt laakereillaan, vaan nokittaa nyt Flash Memory Summit 2022 -tapahtumassa 238-kerroksisilla 4D NAND -muisteilla.
Markkinoilla on 3D NAND -muisteja lukuisilta valmistajilta, eikä SK Hynixkään ole päässyt puuttumaan neljänteen eli aikaulottuvuuteen kuin nimen puolesta. Yhtiö perustelee 4D NAND -nimeä Charge Trap Flash- ja Periphey Under Cell -teknologiaa käyttävät muistinsa vähemmän kehittyneistä 3D NANDeista. Yhtiö ei ole kuitenkaan ainut kyseisiä tai vastaavia NAND-piireissään käyttävistä yrityksistä.
SK Hynixin uudet 238-kerroksiset ovat paitsi ennätys kerrosten määrässä, yhtiön mukaan myös entistä pienempiä pinta-alaltaan. Parempi kapasiteetti yhdistettynä pienempään pinta-alaan mahdollistaa yhtiön mukaan 34 % enemmän muistia per piikiekko.
Ensimmäiset uusista piireistä ovat kapasiteetiltaan 512 gigabittiä, mutta ensi vuonna yhtiö aikoo saada tuotantoon myös terabitin piirit. Muistit perustuvat useimpien kilpailijoiden tavoin TLC-soluihin (Triple Level Cell, 3 bittiä per solu) ja ne toimivat peräti 2,4 Gbps:n nopeudella, eli 50 % nopeammin kuin yhtiön aiemmat 176-kerroksiset muistit. Yhtiö on saanut lisäksi viilattua piirien tehonkulutusta 21 % lukuoperaatioiden osalta.
SK Hynixin uudet piirit tulevat ensimmäisenä käyttöön kuluttajaluokan SSD-asemissa. Yhtiö on jo aloittanut uusien piirien näyte-erien toimitukset ja varsinaisen massatuotannon odotetaan käynnistyvän ensi vuoden ensimmäisellä puoliskolla.
Lähde: Lehdistötiedote
Joo justiinsa huomasin raportin asiasta, korjattu
Tulos, niinpä tietysti Yhdysvallat tekee kaikkensa estääkseen kiinalaisten tuotteiden vallotusta.
U.S. Mulling Crackdown on China’s 3D NAND Production | Tom’s Hardware (tomshardware.com)