Samsungin uusi 11 nanometrin prosessi on suunniteltu edullisille piireille ja 7 nanometrin prosessi tulee korvaamaan nykyisen 10 nm:n prosessin aivan terävimmässä kärjessä.

Merkittäviä puolijohdevalmistajia on markkinoilla enää käytännössä neljä: GlobalFoundries, Intel, Samsung ja TSMC. Etenkin GloFo, TSMC ja Samsung kilpailevat rajusti keskenään asiakkaista, vaikka Intelkin on viime vuosina ottanut joitain ulkopuolisia asiakkaita omille tehtailleen. Uutiskuvassa on Samsungin parhaillaan Etelä-Korean Pyeongtaekiin rakenteilla oleva puolijohdetehdas.

Samsung on esitellyt vielä varsin tuoreen 10 nanometrin prosessinsa rinnalle 11 nanometrin Low Power Plus -FinFET-prosessin. Nykyiseen 14 nanometrin LPP -prosessiin nähden 11LPP:n kerrotaan mahdollistavan noin 10 % pienemmän pinta-alan ja 15 % paremman suorituskyvyn ilman, että tehonkulutus muuttuu. Samsungin mukaan prosessi on suunniteltu edullisimman pään ja keskiluokan piireille. Yhtiö uskoo saavansa prosessin käyttöön ensi vuoden ensimmäisellä puoliskolla.

Samassa yhteydessä Samsung päivitti tulevan 7 nanometrin Low Power Plus FinFET -prosessinsa kuulumisia. EUV-litografiaa (Extreme UltraViolet) hyödyntävän prosessin kehitystyö on yhtiön mukaan aikataulussaan ja sen käyttöönoton odotetaan tapahtuvan ensi vuoden jälkimmäisellä puoliskolla.

Lähde: Samsung

This site uses XenWord.