Samsungin mukaan DDR6 on vielä aikaisessa kehitysvaiheessa eikä LPDDR6:sta ei ole senkään vertaa kerrottavaa, mutta "GDDR6+"-muistit korkeammilla kellotaajuuksilla voivat olla luvassa vielä tämän vuoden puolella.

Samsung on pitänyt teknologiapäivänsä varsin pienellä profiililla ainakin muistien osalta. Saksalainen ComputerBase on kuitenkin ollut saanut raavittua tapahtumasta kokoon raportin, joka paljastaa Samsungin näkemyksiä muistiteknologioiden seuraavista sukupolvista.

Vaikka DDR5 saapui vasta markkinoille, on DDR6:n kehitystyö jo käynnissä, vaikkakin ainakin Samsungin mukaan kehitystyö on vielä suhteellisen aikaisessa vaiheessa. DDR6-muistit tulevat jatkamaan DDR5:n viitoittamalla tiellä ja siinä missä DDR5 hylkäsi 64-bittisen muistiväylän kahden 32-bittisen tieltä, tulee DDR6 vaihtamaan kaksi 32-bittistä kanavaa neljäksi 16-bittiseksi kanavaksi. Työn alla on myös vähävirtaiset LPDDR6-muistit, mutta 20 % paremman energiatehokkuuden ja kasvavien nopeuksien lisäksi niistä ei ole vielä kerrottavaa.

DDR6-muistien pitäisi tämän hetken tietojen mukaan tulla yltämään 12 800 MT/s -siirtonopeuksiin asti (DDR6-12800). Ylikellotettaessa tilanne kuitenkin muuttuu yhtiön suunnitelmien mukaan rajusti; siinä missä nykyisten DDR5-muistien (JEDEC 6400 MT/s) uskotaan yltävän noin 8 400 MT/s -tasolle (DDR5-8400), puhuu Samsung DDR6-ylikellotusmuistien yltävän jopa 17 000 MT/s tasolle asti (DDR6-17000).

Näytönohjaimissa käytetään yleisesti tällä hetkellä GDDR6-muisteja, joskin saatavilla on myös Micronin omat GDDR6X-muistit. GDDR6 yltää tällä hetkellä 18 Gbps:n (18 000 MT/s) nopeuksiin, mutta yhtiön visioima ”GDDR6+” tulisi yltämään jopa 24 Gbps:n nopeudella 1z-prosessilla valmistettuna. Myös GDDR7-teknologia on jo työn alla ja sen odotetaan yltävän näillä näkyvin 32 Gbps:n nopeuksiin (32 000 MT/s). GDDR7-teknologiaan tulee ComputerBasen mukaan kuulumaan myös ”reaaliaikainen virheenkorjausominaisuus”, mutta sen tarkemmasta luonteesta ei ole tässä vaiheessa tietoa.

Viimeisimpänä muttei vähäisimpänä, myös Samsung on ilmoittanut olevansa edelleen mukana HBM-junan kyydissä. Vaikka ensimmäinen muistivalmistaja on jo ehtinyt ilmoittaa sen HBM3-muistien olevan jo valmiita ja tulevan käyttöön tuotteissa ensi vuoden aikana, Samsung alkoo saada omansa tuotantoon vasta ensi vuoden toisen neljänneksen aikana. Yhtiön HBM3-muistien odotetaan yltävän noin 800 Gt/s:n nopeuksiin per muistipino, kun SK Hynixin ensimmäisenä esittelemille kerrottiin nopeudeksi 819 Gt/s.

Lähde: ComputerBase

This site uses XenWord.