Micron julkisti 2. sukupolven HBM3-muistit ja roadmapin: GDDR7 ensi vuonna ja HBMNext 2026
Uudet HBM3-muistit tarjoavat jopa 24 gigatavua kapasiteettia ja yli 1,2 teratavua muistikaistaa sekunnissa per muistipino.
Samsung julkisti ensimmäiset GDDR7-muistit
Yhtiö odottaa ensimmäisten GDDR7-muisteja käyttävien tuotteiden saapuvan markkinoille 2024 ja muistien saavuttavan parhaimmillaan 33 % GDDR6-muisteja korkeammat nopeudet.
Samsung esitteli GDDR7-muistit
Uusien muistien kerrotaan yltävän 36 Gbps:n nopeuksiin ja käyttävän edeltäjistään poiketen PAM3-signalointia.
Samsung kertoi muistiteknologioiden kehityksestä: DDR6, GDDR6+ ja GDDR7 sekä HBM3
Samsungin mukaan DDR6 on vielä aikaisessa kehitysvaiheessa eikä LPDDR6:sta ei ole senkään vertaa kerrottavaa, mutta ”GDDR6+”-muistit korkeammilla kellotaajuuksilla voivat olla luvassa vielä tämän vuoden puolella.