Flashbolt-muistit toimivat oletuksena 3,2 Gbps:n nopeudella, mutta Samsungin mukaan ne tulevat taipumaan parhaimmillaan 4,2 Gbps:n nopeuteen asti.

HBM-muistien suosio pelinäytönohjaimissa on laantunut GDDR6:n myötä, mutta raskaassa laskennassa ja muissa sovelluksissa muistilla on edelleen omat paikkansa. HBM3-standardia (High Bandwidth Memory) odotellessa Samsung on nyt julkaissut oman 3. sukupolven HBM2E-muistinsa.

Samsung HBM Flashbolt -nimen saanut 3. sukupolven HBM2E-muisti tuplaa kapasiteetin nykyisten HBM Aquaboltien 8 Gt:stä 16 gigatavuun. Kapasiteetti on saavutettavissa 8-kerroksisella muistipinolla, jossa käytetään 1y-luokan 16 gigabitin muistisiruja. 1y-luokka eli ns. 10nm-luokka viittaa Samsungin 10 – 19 nanometrin valmistusprosesseihin.

HBM Flashbolt ei tyydy vain nostamaan kapasiteettia, vaan myös muistin nopeus nousee jälleen merkittävästi. Siinä missä 2. sukupolven HBM Aquabolt tarjosi 2,4 Gbps:n nopeutta, toimii Flashbolt 3,2 Gbps:n nopeudella. Tämä tarkoittaa yhden muistipinon tarjoavan kaistaa 410 Gt/s. Yhtiön mukaan sen Flashbolt-muistit voivat saavuttaa tietyissä sovelluksissa tulevaisuudessa peräti 4,2 Gbps:n nopeuden, mikä tarkoittaisi 538 Gt/s:n kaistaa yhdellä muistipinolla.

Samsung aikoo aloittaa uusien HBM-muistiensa massatuotannon vielä vuoden ensimmäisen puoliskon aikana, mutta se ei maininnut mahdollisista asiakkaista tai milloin siruja olisi odotettavissa tuotteisiin asti.

Lähde: Samsung

This site uses XenWord.