Kolmen nanometrin valmistusprosessin vasta yleistyessä Samsung suuntaa katsettaan jo 2 nm:n prosessiin ja aikoo esitellä sitä kesäkuussa, joskin massatuotantoa odotellaan vasta ensi vuoden toiselle puoliskolle.

Vaikka elektroniikkajätti Samsung on vasta kunnolla käynnistelemässä mobiilipiirien massatuotantoa kolmen nanometrin valmistusprosessillaan uutta GAA-transistoriteknologiaa (Gate-All-Around) hyödyntäen, on siltä odotettavissa myös 2 nm:n prosessin julkistus ensi kuussa. Uutta prosessia uumoillaan käytettäväksi muun muassa tulevassa Galaxy S26 -mallistossa Exynos 2600 -piirien muodossa ja sen massatuotantoa ollaan suunnittelemassa ensi vuoden toiselle puoliskolle.

Myös suunnitteilla oleva 2 nm:n prosessi hyödyntää transistoreissa ajankohtaisemman 3 nm:n prosessin tavoin GAA-teknologiaa, jota Samsung tosin kutsuu MBCFET:ksi (Multi-Bridge Channel Field-Effect Transistors), jossa transistorikanavat muodostuvat nanoliuskoista. Aiemmin yleisesti käytetyissä FinFET-transistoreissa (Fin Field-Effect-Transistor) evämäiset kanavat koskevat transistorin hilaan kolmelta sivulta, mutta GAA-teknologian avulla kanavat kulkevat kirjaimellisesti hilan läpi, jolloin ne saavat kontaktin kaikilta sivuiltaan. Samsung tosin aikoo jatkaa myös FinFET-teknologian hyödyntämistä 4 nm:n prosesseissaan esimerksiksi 3D-stacking-menetelmällä valmistetuille piireille, joissa piirin kokoa kasvatetaan kerroksittain pystysuunnassa suorituskyvyn lisäämiseksi.

Myös taiwanilaisen TSMC:n kerrotaan valmistelevan piirituotantoa 2 nm:n prosessilla, joskin suurin osa näistä piireistä lienee varattu tulevaisuudessa häämöttäviin iPhone 17 -malleihin.

Lähde: GSMArena, AnandTech, ASML

This site uses XenWord.
;