3D V-Cachessa SRAM-muisti on pinottu prosessorin CCD-piisirun päälle laajentamaan L3-välimuistia.

AMD:n toimitusjohtaja Lisa Su kertoi Computex-virtuaalimessujen keynote-esityksensä päätteeksi yhtiön edistysaskeleista piirivalmistuksen ja paketoinnin saralla. Su esitteli toimivaa prototyyppiä 12-ytimisestä Zen 3 -arkkitehtuurin Ryzen 9 5900X -prosessorista, jossa molempien TSMC:n 7 nanometrin prosessilla valmistettavien CCD- eli Core Chiplet Die -piirien päälle oli pinottu 64 megatavua ylimääräistä SRAM-muistia. 3D V-Cache -teknologian avulla prosessori L3-välimuistin koko on saatu kolminkertaistettua 192 megatavuun (32 + 64 Mt per CCD). SRAM-muistipiirin koko on 6 x 6 millimetriä (36 mm^2) eli noin puolet CCD-piirin pinta-alasta ja se oli liitetty piisiruun Through Silicon Vias -tekniikan avulla (TSVs). .

Käytännön demona AMD esitteli Ryzen 9 5900X -prosessoria toimimassa kiinteällä 4 GHz:n kellotaajuudella ja verrokkina oli vastaava 3D V-Cache -prosessorin prototyyppi. 3D V-Cachen mahdollistaman isomman L3-välimuistin avulla AMD kertoo ruudunpäivitysnopeuden paranevan peleissä Full HD -resoluutiolla keskimäärin 15 %.

  • DOTA2 (Vulkan): +18%
  • Gears 5 (DX12): +12%
  • Monster Hunter World (DX11): +25%
  • League of Legends (DX11): +4%
  • Fortnite (DX12): +17%

AMD ilmoitti olevansa valmis ottamaan 3D V-Cache -teknologian käyttöön tämän vuoden lopulla. Samassa yhteydessä AMD varmisti olevansa 5 nanometrin valmistusprosessin kanssa aikataulussa ja tuovansa Zen 4 -prosessorit markkinoille ensi vuonna.

Lähde: AMD

This site uses XenWord.
;