Intelin uudet nimet prosesseilleen heijastelevat paremmin kilpailevien puolijohdevalmistajien nimeämistä muun muassa transistoritiheyden osalta.

Intel Accelerated -lähetys on parhaillaan käynnissä, mutta tapahtuman pressimateriaalit ovat jo julki. Intelin prosessipuolella on luvassa isoja uudistuksia muun muassa nimeämisen suhteen ja samalla yhtiö pääsi kertomaan, että se tuottaa nyt enemmän 10 kuin 14 nanometrin piirejä.

Intelin uuden nimeämisperiaatteen mukaan aiemmin 10 nanometrin SuperFin Enhanced -nimellä tunnettu prosessi tullaan tuntemaan nimellä ”Intel 7”. Nimi on selvästi viittaus kilpailijoiden prosesseihin, joita Intel uskoo prosessinsa vastaavan. Samsungin 7 nm -luokan prosessit tunnetaan nimillä 7LPP ja 7LPE, kun TSMC käyttää nimiä N7 ja N7P.

Intel 7 -prosessilla tullaan valmistamaan Alder Lake- ja Sapphire Rapids -prosessoreita, sekä luultavasti Raptor Lake -prosessoreita. Lisäksi prosessia käytetään Xe-HP-piirien ja Xe-HPC:n IO-sirujen valmistukseen. Prosessin kerrotaan parantavan suorituskykyä wattia kohden 10-15 % verrattuna 10 nanometrin SuperFin-prosessiin. Prosessi on jo tuotantokäytössä ja kuluttajien käsiin se saapuu syksyllä Alder Lake -arkkitehtuuriin perustuvien prosessoreiden mukana.

Aiemmin 7 nanometrin prosessina tunnettu EUV-prosessi tunnetaan jatkossa nimellä Intel 4. Prosessia tullaan hyödyntämään ainakin Meteor Lake- ja Granite Rapids -arkkitehtuurien Compute-sirujen tuotannossa. Prosessi tarjoaa 20 parempaa suorituskykyä wattia kohden verrattuna Intel 7:aan ja sillä on tuotettu jo ensimmäiset koesirut. Intel aikoo aloittaa tuotannon prosessilla vuoden 2022 lopulla ja ensimmäiset tuotteet saapuvat markkinoille vuoden 2023 ensimmäisellä puoliskolla.

Intel 3 tunnettiin puolestaan aiemmin 7 nm+ -nimellä ja se tulee hyödyntämään laajemmin EUV:ta, tarjoamaan tiheämpään pakattuja transistoreita, uudet korkean suorituskyvyn kirjastot ja 18 % parempaa suorituskykyä per watti, kuin Intel 4. Prosessin on tarkoitus seurata 4:sta nopealla aikataululla, sillä ensimmäiset vielä nimeämättömät tuotteet on tarkoitus saada markkinoille jo 2023 vuoden jälkimmäisellä puoliskolla.

Vuonna 2024 on vuorossa hyppy FinFET-transistoreista uusiin Gate-All-Around-tyyppisiin RibbonFET-transistoreihin. Aiemmin 5 nm:n prosessina tunnettu prosessi tullaan tuntemaan jatkossa nimellä Intel 20A, jossa A viittaa Ångströmiin eli englanninkielisissä maissa Angstromiin. Yksi Ångström on 0,1 nanometriä tai 100 pikometriä.

Intel 20A tuo mukanaan lisäksi uuden PowerVia-teknologian. Siinä missä nykymallissa piirissä on alimpana transistorikerros, jonka päällä on metallikerroksia piirin sisäisiä reitityksiä varten ja lopulta ulkoiset kontaktit, siirtää PowerVia transistorit keskelle piiriä. Teknologia yksinkertaistaa sekä virransyötön että signaalien reititystä, mutta toisaalta keskelle siirtyvien transistorien tuottama lämpö tulee kulkemaan signaalireititysten läpi.

20 Ångströmin prosessin jalanjäljissä seuraa 18A, joka tunnettiin aiemmin 5nm+-nimellä. Yhtiön mukaan prosessin on tarkoitus nostaa Intel jälleen markkinoiden terävimmäksi kärjeksi ohi kilpailevien valmistajien. Prosessin on tarkoitus saapua markkinoille vuonna 2025.

Lähde: Intel

This site uses XenWord.
;