Jopa 37 Gbps:n nopeuteen yltävien GDDR7-muistien lisäksi tapahtumassa tullaan esittelemään uutuuksia myös keskumuistien, HBM-muistien ja NAND-muistien kategorioissa.

Muistivalmistajat valmistautuvat täyttä häkää helmikuun 18.-22. San Franciscossa pidettävään IEEE International Solid-State Circuits Conferenceen eli ISSCC:een. Tapahtuman alla on saatu kaivettua jo esiin tapahtuman ohjelma, josta paljastuu mm. Samsungin ja SK Hynixin sotasuunnitelmat.

Korealaisjätti Samsung aikoo esitellä ISSCC:ssä ennakkotietojen mukaan ainakin uusia maksimissaan 37 Gbps:n nopeuteen yltäviä 16 gigabitin GDDR7-muisteja. GDDR7-muisteissa tullaan siirtymään PAM3-signalointiin, mikä parantaa osaltaan muistien nopeutta ja näytönohjaimilla onkin edessään muistikaistan lähes kaksinkertaistuminen samalla väylänleveydellä. Nykyisissä GDDR6-muisteissa käytetään NRZ- ja GDDR6X-muisteissa PAM4-signalointia.

Muistitarjonta jatkuu 32 gigabitin versioilla DDR5-8000 muistipiireistä. Lisäksi Samsung tulee esittelemään tallennusmedioihin uusia 280-kerroksisia 3D QLC NAND -muistipiirejä terabitin kapasiteetilla. Uudet QLC-muistipiirit yltävät jopa 3,2 Gt/s nopeuteen, kun nykyisellään nopeimmat NANDit yltävät 2,4 Gt/s nopeuteen.

Korealaisten muistijoukkueen lippua pitää yllä myös SK Hynix. Yhtiö tulee esittelemään tapahtumassa Samsungin tapaan uusia GDDR7-muisteja, mutta ennakkotietojen mukaan esillä tulisi olemaan ”vain” 35,4 Gbps:n nopeuteen yltäviä versioita. Toisaalta Samsungilla on tosin ollut ennenkin tapana esitellä kerralla myös maksiminopeus vaikkei siihen yltäviä piirejä olisikaan vielä tiedossa toviin. Raskaaseen laskentaan SK Hynixillä on tarjolla 128 Gt/s nopeuteen per muistipino yltäviä 16-kerroksisia 48 Gt:n HBM3E-muisteja.

Lähteet: TechPowerUp (1), (2), (3)

This site uses XenWord.
;