NAND-teknologia on kehittynyt vuosien varrella aimo harppauksin, mutta usein kyse on ollut ainakin jollain tasolla merkittävistä kompromisseista tallennuskapasiteetin kasvattamisen, nopeuden, kestävyyden ja hinnan välillä. Helpoin tapa kasvattaa kapasiteettia ja laskea hintaa on tallentaa kuhunkin soluun useampia bittejä, mutta se syö nopeutta ja kestävyyttä.
Nykyiset kuluttajaluokan SSD-asemat perustuvat useimmiten kolme bittiä soluun tallentaviin TLC- ja neljä bittiä tallentaviin QLC-soluihin. Yhden bitin tallentamisesta neljään bittiin siirtyminen on syönyt suorituskykyä ja kestävyyttä merkittävästi, mutta nyt Neo Semiconductor uskoo löytäneensä tähän lääkkeen.
Neo Semiconductorin kehittämä X-NAND-teknologia maksimoi NAND-piirin rinnakkaisuutta kasvattamalla rinnakkaisten tasojen määrän peräti kuuteentoista, kun tyypillisessä SSD-asemassa niitä on kahdesta neljään.
Ratkaisulla yhtiö on saanut parannettua merkittävästi asemien perättäisluku- ja -kirjoitusnopeuksia ja X-NANDin luvataankin tarjoavan käytännössä SLC-tason suorituskykyä QLC:n kapasiteetilla ja hinnalla. Yhtiön whitepaper-julkaisun lukujen mukaan X-NAND-teknologialla toteuttu QLC-piiri tarjoaisi 80 % perinteisen SLC-NAND-piirin satunnaisluku- ja 40 % -kirjoitusnopeudesta, mutta perättäislukunopeus olisi jopa 7- ja -kirjoitusnopeus 2-kertainen SLC:een verrattuna. QLC-NAND-muisteihin verrattuna erot ovat dramaattisesti suurempia.
X-NAND-arkkitehtuuriin siirtymisestä kerrotaan olevan selvää hyötyä ainakin TLC- ja QLC-soluja käyttävissä ratkaisuissa, mutta tutkimukset SLC- ja MLC-ratkaisujen parissa jatkuvat edelleen. Yhtiö ei tule itse valmistamaan mitään, mutta lisensoi X-NAND-teknologiaa muistivalmistajille. X-NANDin kerrotaan lisäksi soveltuvan suoraan nykyisille valmistusprosesseille, jolloin sen käyttöönoton pitäisi olla verrattain nopeaa ja helppoa.
Lähde: Tom’s Hardware, Neo Semiconductor (PDF)
Hmm… olisi hyvä hyppäys jos toimii. Vaikka hinta tuplaantuivat, niin näyttäisi,silti edulliselta intelin ratkaisuun verrattuna.
Mutta hitaasti, kovin hitaasti nuo muistiuutukaiset päätyvät kuluttajatuotteiksi.
On se vähän eri SLC solu kestää 100000 kirjoituskertaa, kun QLC vaan murto-osan tuosta määrästä
7GB/s levyn sijasta olisikin 30x nopeampia eli 210GB/s. Olispa hienoa jos tääkään uutinen olisi etäisestikkään totta tai toteutettavissa.
Sitten voi katsoa oman koneen smart-datasta, paljonko on kulumaa qlc ssd:llä, jakaa aseman iän saaduilla kulumaprosenteilla ja kertoa 100%:lla. Voi tulla 20+ vuotta käyttöikää silti.
Mitä tasoja tässä nyt tarkoitetaan? NAND-piireissä on kyllä yleensä luokkaa 60-100 layeriä (tasoa?).
Ehkä tarkoitetaan vain sitä, että pistetään enemmän rinnakkaisia piirejä ja täten kanavia ohjauspiiriin? 16-piirinen NAND on kyllä vaikeasti ängettävissä pienille M.2 formfactorin ssd-pcb:eille:
PDF lipareesta päätellen piirin sisäisiä loogisia tasoja tarkoitetaan eikä piirien fyysistä määrää. Tuo mahdollistaa myös rinnakkain suoritettavia operaatioita piirin sisällä yms. Kannattaa plärätä toi slidesetti läpi, ei ole iso.
Ihan yleisesti ottaen pitäisi varmaan sanoa, että solut ei tallenna bittejä, vaan säilöö varaustasoja, jotka tulkitaan biteiksi. Ja tämä ei ole pilkun viilaamista vaan ihan olennainen asia, joka monelle lukijalle voisi avata flash-muistien toimintaperiaatteita.
HDD- ja SSD-asemat testissä – Page 2 of 5 – Muropaketti.com
Samsung 840 EVO (750 Gt) & OCZ Vertex 450 (256 Gt) – Page 2 of 4 – Muropaketti.com
katso liitettä 664060
Ei se ihan noin kuitenkaan toimi, vaikka mutkia oikomalla väärään suuntaan saatkin asian näyttämään huuhaalta.
Rinnakkaisuutta piirin sisällä
En nyt ihan hiffaa mitä tällä haet, ei tässä solujen jännitetasojen määristä mitään puhuttu?