TSMC:ltä ensimmäinen 7 nanometrin EUV-prosessia käyttävä piiri
Yhtiön mukaan se on saanut ensimmäisen asiakaspiirin 7 nanometrin EUV-prosessilla tape-out-vaiheeseen ja uskoo voivansa aloittaa 5 nanometrin EUV-prosessin riskituotannon jo ensi keväänä.