SK Hynixin TLC-soluihin perustuvat 4D NAND -muistit tulevat aluksi saataville 512 gigabitin kapasiteetissa, mutta kehitteillä on myös terabitin sirut.

SK Hynix on yksi maailman suurimmista muistivalmistajista. Yhtiön valikoimaan kuuluu myös laaja kattaus erilaisia NAND Flash -muisteja, mukaan lukien uusimman sukupolven 4D NAND -muistit.

Uusimman sukupolven 4D NAND -sirut ovat peräti 176-kerroksisia, kun edeltävässä sukupolvessa päästiin vain 96 kerrokseen. Muistit eivät tietenkään ole neliulotteisia nimestään huolimatta, vaan kyseessä on yhtiön tapa erotella Charge Trap Flash- ja Periphery Under Cell -teknologioita hyödyntävät 3D NAND -muistit vähemmän kehittyneistä 3D NAND -muisteista. Periphery Under Cell -teknologia mahdollistaa kunkin solun oheislogiikan sijoittamisen solujen alle, kun perinteisesti ne ovat solun vieressä. Charge Trap Flash -muistit taas säilövät jännitteen eristeisiin, kun vanhemmat Floating Gate -muistit säilövät jännitteen sähköjohteisiin.

Triple Level Cell- eli TLC-soluihin perustuvat uudet 4D NAND -muistit tulevat saataville aluksi 512 gigabitin kapasiteetissa, mutta yhtiöllä on jo työn alla myös terabitin versiot. Uusien solujen kerrotaan mahdollistavan 20 % aiempaa sukupolvea nopeammat lukunopeudet ja piirien tiedonsiirtonopeutta on nyt 33 % korkeampi 1,6 Gbps. Yhtiön mukaan uusia siruja hyödyntävien lopullisten tuotteiden pitäisi tarjota mobiilikäytössä 70 % nopeampia luku- ja 35 % nopeampia kirjoitusnopeuksia ensi vuoden puoliväliin mennessä.

Lähde: SK Hynix

This site uses XenWord.
;