TSMC:n mukaan sen N5-prosessin saannot ovat jo nyt riskituotantovaiheessa hyvät.

TSMC on kertonut osavuosikatsauksessaan lisätietoja tulevista valmistusprosesseistaan sekä nykyisten prosessien tilanteesta. Puolijohdevalmistuksen terävimpään kärkeen kuuluva yhtiön tuorein massatuotantoon ehtinyt prosessi on 7N+, eli 7 nanometrin EUV-prosessi.

TSMC:n N7+-prosessi tarjoaa 15 – 20 % parempaa transistoritiheyttä N7-prosessiin verrattuna, jonka lisäksi energiatehokkuus paranee jonkin verran. Yhtiö kehaisee keväällä massatuotantoon päässeen N7+:n olevan ensimmäinen massatuotettu EUV-prosessi (Extreme UltraViolet -litografia) ja sen saannot ovat jo nyt vastaavalla tasolla DUV-litografiaa (Deep UltraViolet) käyttävän N7:n kanssa.

Seuraava uusi prosessi yhtiöltä on riskituotantovaiheeseen edennyt 5 nanometrin N5. N5:n saantojen kerrotaan olevan jo nyt riskivaiheessa hyvällä tasolla. EUV-litografiaa käyttävä prosessi on pysynyt aikataulussaan, jonka mukaan massatuotanto voidaan aloittaa ensi vuoden ensimmäisen puoliskon aikana. Yhtiön mukaan prosessi tarjoaa 80 % parempaa transistoritiheyttä ja 20 % korkeampia nopeuksia 7N-prosessiin verrattuna.

N5:n jälkeen vuorossa on N6. Kyseessä on N7-asiakkaille suunniteltu päivitysprosessi, jonka suunnittelusäännöt ovat identtiset N7:n kanssa. Prosessi hyödyntää EUV-litografiaa ja EUV-kerroksia on käytössä yksi enemmän, kuin N7+-prosessissa. N6 tarjoaa 18 % parempaa transistoritiheyttä N7:aan nähden. Prosessin riskituotanto aloitetaan ensi vuoden ensimmäisellä neljänneksellä ja massatuotantoon sen uskotaan pääsevän ensi vuoden loppuun mennessä.

Seuraava merkittävä askel N5:n jälkeen on 3 nanometrin N3. Yhtiön mukaan se tekee parhaillaan yhteistyötä useiden asiakkaiden kanssa prosessin parissa ja sen kehitystyön kerrotaan sujuvan tällä hetkellä hyvin.

Lähde: TSMC (PDF)

This site uses XenWord.
;