Intel esittelee tulevan Intel 18A -valmistusprosessin parannuksia
Prosessin kerrotaan yltävän 18-25 % parempaan suorituskykyyn tai 36-38 % pienempään kulutukseen samalla suorituskyvyllä, kuin Intel 3 -prosessin.
Jensen Huang odottaa GAA-transistoreilta noin 20 % suorituskykyparannusta
GTC-messuilla Huangin kerrotaan vähätelleen prosessiteknologioiden merkitystä nykyisessä AI-ympäristössä, jossa lukemattomien prosessoreiden ja niiden käytön hallinta on yksittäisen piirin suorituskykyä tärkeämpää.
Intel 18A -prosessi etenee aikataulussaan ja ensimmäiset prosessorit ovat jo toiminnassa
Ensimmäiset Intel 18A -prosessorit ovat kuluttajapuolen Panther Lake ja palvelinten Clearwater Forest, mutta yhtiö kehaisee myös ensimmäisen ulkopuolisen asiakkaan piirin päässeen jo tape-out-vaiheeseen.
Samsung aloitti piirituotannon 3 nanometrin GAAFET-valmistusprosessilla
Vuosia sitten evällä varustetut FinFET-transistorit korvasivat markkinoilla planaariset ”2D-transistorit”, nyt on FinFETin vuoro väistyä nanokanaviin ja -liuskoihin perustuvien Gate All Around -transistorien tieltä.
Samsung kertoi lisätietoja ensi vuonna käyttöön tulevasta 3 nanometrin GAAFET-prosessista
GAAFET-transistoreissa siirrytään kanava-evän kolmelta sivulta ympäröineistä hiloista nanolankoihin ja -levyihin, jotka ovat täysin hilan ympäröimiä.