Intel kertoi NAND-teknologioidensa tilasta ja kehityssuunnista
Intelin mukaan sen Floating Gate Cell -teknologiaan perustuvat QLC-solut ovat selvästi perinteiseen Charge Trap Cell -teknologiaan perustuvia QLC-soluja luotettavampia.
Toshiba valmistelee 5 bittiä soluun tallentavia PLC-NAND-muisteja ja nopeita XL-Flash-muisteja
Tulevat PLC-solut helpottavat SSD-asemien kapasiteetin kasvattamista entisestään, mutta samalla heikentäen niiden luotettavuutta.
SK Hynix julkisti maailman ensimmäisen 128-kerroksisen NAND Flash -muistin
SK Hynix kutsuu muistejaan 4D NAND -muisteiksi niiden käyttämän PUC-teknologian vuoksi, vaikka markkinoilta löytyy vastaavaa teknologiaa käyttäviä 3D NAND -muistejakin.
DRAMeXchange uskoo muistien hintojen kääntyvän vihdoin laskuun
Analyytikkojen mukaan etenkin DRAM-valmistajat uskovat tarjonnan ylittävän kysynnän vuonna 2019.
Kiina tutkii mahdollista kartellitoimintaa rajusti nousseiden muistihintojen takana
Kiinan tutkinnan kohteiksi joutuvat ainakin leijonanosaa markkinoista hallinnoivat Samsung ja SK Hynix.
Toshiba esitteli maailman ensimmäisen TSV-teknologiaa hyödyntävän BiCS 3D NAND -Flash-muistin
Toshiballa on aiemmin kokemusta TSV-teknologiasta perinteisten yksikerroksisten 2D NAND -Flash-muistien saralta, mutta nyt esitellyt piirit tuovat saman teknologian ensimmäistä kertaa 3D NAND -sirujen maailmaan.