Xiaomin tuore lippulaiva rajoittaa suorituskykyään – taustalla Snapdragon 888 -piirin lämpöongelmat?

Uutisoimme kesällä OnePlussan rajoittaneen suosittujen sovellusten suorituskykyä, minkä perusteeksi valmistaja kertoi tuolloin virrankulutuksen optimoinnin. Nyt vastaavaa on havaittu myös Xiaomin uudessa 11T Pro -älypuhelimessa Anandtechin arviossa.

Xiaomin 11T Pro sisältää OnePlus 9 -sarjalaisten tavoin Qualcommin tuoreimman Snapdragon 888 -järjestelmäpiirin ja niin ikään OnePlussan tavoin puhelin vaikuttaisi tekevän suorituskykyoptimointeja sovellusten mukaan suoran lämpötilaoptimoinnin sijaan. Anandtech totesi tämän huijaamalla puhelinta uskomaan 3DMark Wild Life Unlimited -testiä Genshin Impact -peliksi, jolloin suorituskyky laski selvällä erolla puhtaasti testisovellukseksi tunnistettuun vetoon verrattuna.

Muutos tapahtui kuitenkin vain piikkisuorituskyvyssä, eli Genshin Impactiksi uskoteltuna tulokset säilyivät vastaavina, kuin täydellä teholla ajettujen testien tulokset pidemmässä ajanjaksossa, eli puhelimen suorituskyky on ainakin tietyissä peleissä rajoitettu suoraan sille tasolle, jota puhelin jaksaa pidemmän ajanjakson.

Rajoitus lämpötilan sijaan suoraan sovelluskohtaisesti herättää omat kysymyksensä kuten OnePlussankin suhteen, sillä sen myötä synteettiset testisovellukset antavat puhelimelle totuudenmukaista korkeammat tulokset. Kuitenkin kenties tätä kiinnostavampaa on se, miksi tätä ilmiötä on alkanut tänä vuonna näkymään näin paljon.

Ainakin osatekijänä taustalla lienee Qualcommin viimeisin Snapdragon 888 -järjestelmäpiiri, jonka pitäminen viileänä on osoittautunut haasteeksi useimmille puhelinvalmistajille. Muun muassa Xiaomin aiemmin tänä vuonna julkaistujen Mi 11 -sarjalaisten huomattiin io-techinkin testeissä jopa kaatuvan ylikuumenemisen seurauksena pidempikestoisessa synteettisessä grafiikkarasituksessa, kun taas esimerkiksi ZenFone 8:n grafiikkasuorituskyky laski lähes puoleen rasituksen jatkuessa pidempään.

OnePlussan ja Xiaomin ratkaisuista poiketen Asus ei kuitenkaan ole rajoittanut suorituskykyä sovelluskohtaisesti, vaan kyseessä on tavanomainen lämpötilapohjainen rasitus. Puhelimen lämmönhallinta on kuitenkin TechBBS-foorumilla FlyingAntero-nimellä kulkevan käyttäjän mukaan kiristynyt varsin selvästi päivitysten yhteydessä, eli Asus on selvästi puhelimen julkaisunkin jälkeen vielä pyrkinyt optimoimaan käyttökokemusta kuumana käyvän piirin kanssa. Myös Xiaomin Mi 11 -puhelimet ovat ainakin Kiinassa saaneet osakseen suorituskykyä jonkin verran laskevia lämpöoptimointeja uusimman 12.5.8-päivityksensä mukana.

Jälkikäteen tulleiden suorituskykyoptimointien lisäksi Asusta ja Xiaomia yhdistää jossain määrin myös molempien puhelinten kohtaamat emolevyn vaihtoa vaatineet hajoamiset. Asuksen Zenfone 8:n tapauksessa kyseessä on ramdumb-virhe ja Xiaomin Mi 11 -mallilla puolestaan on ollut haasteita Wi-Fi 6:n kanssa. Kummankaan ongelman pohjasyyt eivät toistaiseksi ole selvillä, vaan kyseessä on jonkinlaiset rautaviat, mutta ei ole missään nimessä mahdotonta, että vikojen taustalla voisi olla lämpöongelmat Snapdragon 888:n kanssa.

Siihen, mikä Snapdragon 888:n selvästi haastaviin lämpöihin on johtanut, tietää käytännössä varmaksi syyn vain Qualcomm itse, mutta Anandtechin testien valossa vähintäänkin osasyynä haasteisiin on Samsungin 5LPE-tuotantoprosessi.

Uutena piiriin tuotu Cortex-X1-ydin on ymmärrettävästi enemmän virtaa syövä kuin aiemmat Snapdragon 865:n sisällä sykkineet Cortex-A77-ytimet, mutta huomion arvoisena seikkana piirin muina tehoytiminä toimivat Cortex-A78-pohjaiset ytimetkin ovat virrantarpeeltaan edellissukupolvea nälkäisempiä tuoreemmasta teknologiasta huolimatta. Huawein Kirin 9000 -järjestelmäpiiri puolestaan on valmistettu TSMC:n N5-tekniikalla, jolla piirin prosessoriytimet ovat Anandtechin mukaan havaittavasti Qualcommia energiatehokkaampia.

Snapdragon 888 herättääkin väistämättä muistoja Qualcommin vuoden 2015 Snapdragon 810:stä, joka niin ikään kärsi ylikuumenemisongelmista. Vain aika näyttää tuoko seuraava Snapdragon-sukupolvi ongelmaan ratkaisua, mutta ainakin toistaiseksi sen on huhuttu perustuvan edelleen Samsungin tuotantoon, joskin jo jälleen pykälän kehittyneempään 4 nanometrin tekniikkaan. Mielenkiintoisesti ensi vuoden plus-mallin puolestaan uskotaan palaavan TSMC:n valmistettavaksi niin ikään 4 nanometrin tekniikalla.

Olemme tiedustelleet Xiaomilta kommenttia valmistajaa koskevien osioiden osalta, mutta emme ainakaan toistaiseksi ole saaneet vielä vastausta.

Päivitys 11.11.2021: Xiaomi on antanut virallisen vastauksen rajoitusten tiimoilta. Yritys kertoo tekenvänsä kaikkensa parhaan suorituskyvyn, lämpötilojen ja akunkeston välisen tasapainon eteen ja tuovansa erillisen suorituskykytilan Xiaomi 11T Prolle MIUI V12.5.1RKDEUXM -käyttöjärjestelmäversiosta alkaen. Xiaomin koko vastaus alla:

Teemme kaikkemme optimoidaksemme laitteiden suorituskyvyn suomaan käyttäjille parhaimman tasapainon pitkäkestoiseen käyttökokemukseen ilman ylikuumenemista tai akunkeston kompromisseja. Mutta niille käyttäjille, jotka haluavat maksimoida älypuhelimen tehot, lisäämme mahdollisuuden suorituskykytilaan puhelimissamme. Xiaomi 11T Pro:lle tuo toiminto tulee saataville OTA-päivityksellä, MIUI-käyttöjärjestelmäversiosta V12.5.13RKDEUXM alkaen.

Lähteet: Anandtech: (1), (2), Gizchina, Gizmochina, GSMArena, Leikeji